Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs
- Автор:
Крыжановская, Наталья Владимировна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
105 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах | Иванкив, Игорь Михайлович | 1999 |
| Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе квантоворазмерных слоев InGaN, InAlN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN | Усов, Сергей Олегович | 2016 |
| Влияние процессов фазообразования на фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок селенида свинца | Писаревский, Мстислав Сергеевич | 2002 |