Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs
- Автор:
Крыжановская, Наталья Владимировна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
105 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование электронных состояний и оптических процессов в кремниевых наноструктурах | Герт Антон Владимирович | 2017 |
| Исследование процессов возбуждения предпробойной электролюминесценции в тонкопленочных электролюминесцентных структурах | Давыдов, Рашит Ренатович | 2002 |
| Явления электронного переноса при низких температурах | Пашаев, Хафиз Мир Джалал оглы | 1984 |