Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs
- Автор:
Крыжановская, Наталья Владимировна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
105 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn0,63 Pb0,32 Ge0,05 Te и самокомпенсацию примесей в PbSe | Осипов, Павел Анатольевич | 2000 |
| Спектр и динамика лазеров на модах шепчущей галереи и кольцевых лазеров | Донцов, Антон Александрович | 2017 |
| Фазовые переходы в комплексных фторидных соединениях сурьмы | Урбонавичюс, Вайдотас Владович | 1985 |