Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs
- Автор:
Крыжановская, Наталья Владимировна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
105 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Кинетика атомных преобразований кристаллической поверхности при эпитаксиальном росте и сопутствующих процессах (моделирование) | Яновицкая, Зоя Шмеровна | 2003 |
| Электрофизические свойства твердых растворов (SiC)1-x (AlN) x | Исабекова, Тамила Илахидиновна | 1999 |
| Формирование тонких пленок и наноструктур в системе Mn/Si(111) | Азатьян, Сергей Геннадьевич | 2008 |