Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs
- Автор:
Крыжановская, Наталья Владимировна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
105 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs», автор — Крыжановская, Наталья Владимировна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2005 году. Объем работы: 105 с. : ил.. Внутренний код товара: 01002869086. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследования деформированного состояния полупроводниковых гетероструктур на основе соединений А3В5 с помощью электронного зонда | Уманский, Владимир Евгеньевич | 1983 |
| Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn0,63 Pb0,32 Ge0,05 Te и самокомпенсацию примесей в PbSe | Осипов, Павел Анатольевич | 2000 |
| Исследование зонной структуры легированного антимонида галлия | Чайкина, Елена Ивановна | 1984 |