Структура и оптические свойства тонкопленочных полупроводниковых соединений на основе кремния, синтезированных импульсными энергетическими воздействиями

• Автор: Баталов, Рафаэль Ильясович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2004
• Место защиты: Казань
• Количество страниц: 127 с. : ил.

Список сокращений и используемых физических величин

ГЛАВА I. Современное состояние проблемы синтеза и модификации материалов кремниевой оитоэлсктроннки

1.1. Структура и оптические свойства кристаллического кремния

1.2. Основные подходы к решению задач кремниевой оптоэлектроникн

1.3. Основные методы синтеза полупроводниковых соединений на основе кремния

1.4. Импульсно-лучевые методы модификации кремниевых структур

1.5. Выводы к Главе

ГЛАВА II. Объекты и методы эксперимента

2.1. Ионная имплантация и термическая обработка кремниевых структур

2.2. Импульсные методы обработки имплантированных структур

2.3. Методы исследования структуры, фазового состава и морфологии поверхности синтезированных слоев
2.4. Методы исследования оптических свойств синтезированных слоев...46 ГЛАВА III. Формирование тонкопленочных структур на основе кубического карбида кремния на кремнии
3.1. Компьютерное моделирование процессов нагрева, плавления и кристаллизации кремния импульсными энергетическими воздействиями
3.2. Особенности импульсного синтеза слоев карбида кремния
на кремнии
3.3. Оптические свойства пористых структу р на основе карбида кремния
3.4. Выводы к Главе III

ГЛАВА IV. Формирование тонкопленочных структур на основе полупроводникового дисилпцпда железа на кремнии
4.1. Особенности импульсного синтеза слоен дисилицида железа на кремнии
4.1.1. Термическая обработка имплантированного кремния
4.1.2. Импульсная ионная обработка имплантированного кремния
4.1.3. Импульсная лазерная обработка имплантированного кремния
4.2. Оптические свойства импульсно-синтезированных слоев дисшшнида железа
* 4.2.1. Оптическое поглощение синтезированных слоев дисилицида
железа
4.2.2. Фотолюминесценция синтезированных слоев дисилицида
железа
4.3. Особенности перераспределения атомов железа в кремнии при импульсных воздействиях. Эксперимент и компьютерное моделирование
4.4. Выводы к Главе IV
Заключение
Публикации автора
Список цитированной литературы

Список сокращений и используемых физических величин
ИИ - ионная имплантация;
ИИО - импульсная ионная обработка;
ИЛО - импульсный лазерный отжиг;
ИМС - интегральная микросхема;
ИЛС - ионно-лучевой синтез;
МЛЭ - молекулярно-лучевая эпитаксия;
ТО - термический отжиг;
РДСЛ - рентгеновская дифракция в скользящих лучах;
ПЭМ - просвечивающая электронная микроскопия;
АСМ - атомно-силовая микроскопия;
РОР - Резерфордовское обратное рассеяние;
ОЭС - Оже-электрошшя спектроскопия;
КРС - Комбинационное (Рамановское) рассеяние света;
ОП - оптическое поглощение;
ФЛ - фотолюминесценция;
нм - нанометры;
мкм- микроны;
кэВ - килоэлектронвольты;
А - ангстремы;
Е - энергия ионов (кэВ);
Ф- доза (флюенс) ионов (см'2);
у - плотность ионного (либо инжекционного) тока (А/см2);
IV-плотность энергии ионного (либо лазерного) импульса (Дж/см2);
А' - количество импульсов;
О- коэффициент диффузии (см2/с);
Г, Я- пропускание, отражение света (%);

Время (не)
Рис. 9. Зависимость температуры на поверхности кремния от времени с начала действия ионного импульса (С*, IV, г = 50 не) при различных значениях плотности энергии.
Время (не)
Рис. 10. Зависимость температуры на поверхности кремния от времени с начала действия импульса рубинового лазера (>. = 0.69 мк.м, г = 70 не) при различных значениях плотности энергии.