Оптические свойства полупроводников со структурой типа TlSe

• Автор: Эфендиева, Ирада Кафар кызы
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Баку
• Количество страниц: 127 c. : ил

ГЛАВА I. ОБЗОР ТЕОРЕТИЧЕСКИХ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ РАБОТ ПО ИССЛЕДОВАНИЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СО СТРУКТУРОЙ
Tesa
1.1. Теоретическая зонная структура кристаллов Т6$е ,
Т6Ьг5е2, ТЕ1п1ъг
1.2. Оптические свойства кристаллов Т£$е ,Т61*,$ег1
ТClnJe^
1.3. Исследования оптических свойств полупроводников
при/гидростатической давлении
1.4. Изотермическая сжимаемость и тепловое расширение
твердых тел
Постановка задачи
Глава II. МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ
П.1. Комплекс для исследования спектров поглощения
при низких температурах и высоких давлениях
П.2. Методика измерения изотермической сжимаемости и
теплового расширения
П.З. Методика изготовления образцов
П.4. Методика исследований спектров отражения
Глава III. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ TCSe jeinSe^ Т61гсТе2В ОБЛАСТИ КРАЯ ФУНДАМЕНТАЛЬНОГО
ПОГЛОЩЕНИЯ
Ш.1. Влияние температуры на край фундаментального поглощения кристаллов ТС$е
Ш.2. Температурная зависимость края фундаментального
поглощения кристаллов T6In.Se

Ш.З. Влияние температуры на край поглощения кристаллов

Т€1п/Гег
Ш.4. Спектр отражения кристаллов Т€1|п$ег
Ш.5. Тепловое расширение и изотермическая сжимаемость
Т61*гБег и Те!ьТег
Результаты и выводы
Глава IV.ВЛИЯНИЕ ГИДРОСТАТИЧЕСКОГО ДАВЛЕНИЯ НА КРАЙ ФУНДАМЕНТАЛЬНОГО ПОГЛОЩЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ Т6$е ,
T6In.Se.,, Т£1«Лег
1УЛ. Влияние гидростатического давления на край
фундаментального поглощения кристаллов Т£$е
1У.2. Спектры фундаментального поглощения кристаллов
Т£1н5ег под давлением
1У.З. Влияние гидростатического давления на край
фундаментального поглощения кристаллов ТСЪгТе^ ....102 Результаты и выводы
ПРИЛОЖЕНИЕ
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ ПО ДИССЕРТАЦИИ
ЛИТЕРАТУРА

Актуальность темы.Монокристаллы группы А^В^ о цепочечным типом кристаллической структуры (76Эе и его аналоги Т£5 ,
Т-61гг$е * ТЕЪгТе, ,Т€<гаТе, и др.) занимают особое место в ряду сое
г. с с.
динений с сильной анизотропией кристаллического строения. В них обнаружены фотоакустический и пьезорезистивные эффекты, что дела -ет их перспективными материалами для оптоэлектроники.
Общую формулу этих соединений записывают в виде АВЗ^, где А и В являются атомами третьей группы, X - атом шестой группы перио -дической таблицы. Характерным элементом структуры этих соединений являются длинные отрицательно заряженные цепочки (В-^Х?-)“ аго -мов, вытянутые вдоль тетрагональной оси Ъ . Фрагменты разных це -почек (В^+х|“)” связаны между собой одновалентными ионами А1+.
Связи между атомами внутри цепочек сильные ионно-ковалентного ха -рактера, между цепочками реализуется более слабая связь.
В последние годы в Институте физики АН Азерб.ССР интенсивно изучаются электрофизические свойства и колебательные спектры вышеуказанных соединений. В результате лоотроена полная картина колебательных спектров ТбЭе , Т6Б ,Т61»а.Ьег. Проведены и теоретические расчеты зонной структуры Тб Эе ,Т£ Ьг$е2Д61пЛе2. Имеются публикации, посвященные исследованию края фундаментального поглощения кристаллов 7Вве ,Тв1 iz.Se . Однако данные об оптических свойствах

этих кристаллов носят ограниченный и противоречивый характер. Для этих соединений не были проведены систематические исследования края фундаментального поглощения. Практически не имелось экспериментальных данных об оптических свойствах кристаллов Т£1п,Те2 •
Не было проведено систематических исследований влияния гидроста -тического давления на спектры краевого поглощения Не было изу -чено также тепловое расширение и изотермическая сжимаемость

сыщенных паров водорода и азота, а в промежуточном - интерполя -ционной формулой. В области 80-350 К температура образца измерялась медь-константановой термопарой.
Градуировка прибора производилась с помощью эталонного образ -ца меди, величина теплового расширения и сжимаемость которого известна. Проверка на эталонном алюминиевом образце показала, что точность измерения теплового расширения и изотермической сжимае -мости составляет 0,5 - 0,8% относительно градуировочных данных.
В приборе измерение теплового расширения и изотермической сжимае -мости сводится к измерению тока. Чувствительность дилатометра оп
ределяется чувствительностью регистрирующего устройства и сос
тавляет 1*10 к изменению длины образца. Методика измерений позволяет обойтись без введения поправок на расширение кварца.
П.З. Методика изготовления образцов.
Кристаллы для исследований были выращены методом Бриджмена -Стокбаргера. Измерения проводились на образцах толщиной 25-300 мк. Путем скалывания монокристаллического блока удавалось получить образцы толщиной 100-300 мк. Тонкие образцы получались путем поли -ровки их на специальном притире алмазными порошками МЗ-МІ. При переходе от одного порошка к другому образцы, наклеенные на диск полирователя, тщательно промывались дистиллированной водой и протирались спиртом.
Для исследования изотермической сжимаемости и теплового рас -ширения кристаллы ТВ1п$ег и ТбХиТе2 были получены методом прямого синтеза. Для синтеза данных соединений были использованы исходные компоненты чистотой: те - 99,999%, ІП- 99,999%,
5е- 99,999%, Те - 99,999%. После точного взвешивания исходные компоненты, соответствующие стехиометрическому составу отдельного