Оптические свойства полупроводников со структурой типа TlSe
- Автор:
Эфендиева, Ирада Кафар кызы
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1985
- Место защиты:
Баку
- Количество страниц:
127 c. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности пассивной синхронизации мод в полупроводниковых лазерах на наногетероструктурах | Буяло Михаил Сергеевич | 2017 |
| Исследование электронных свойств бесщелевых CdxHg1-xTe, HgTe, HgSe и узкощелевых (TlBiS2)x - (TlBiSe2)1-x полупроводников методом эффекта поля в системе полупроводник - электролит | Шевченко, Ольга Юрьевна | 2005 |
| Влияние ян-теллеровских ионов на электронные и упругие свойства электро- и магнитоупорядоченных оксидов металлов | Семенников Антон Владимирович | 2017 |