Исследование электрических и оптических свойств ZnSe, ионно-легированного In+ и As+ и излучающих структур на его основе

• Автор: Ластовка, Владимир Викторович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Томск
• Количество страниц: 134 c. : ил

- НОЛЛЕГ'ІЙ .».к СССР п/ /Ху-у О î0ЩГ. nç.crQ ЭЛ NsS/f/ <
Г L f) . і I] A ? f' h I Д А т '_/• -і П Л £ М гШЩ ,//)• ùtyû'if
Æfe*. ртусА,* і А.Х.
ОГЛАШЕНИЕ
ГЛАВА I. Ионная имплантация как метод управления электрофизическими и оптическими свойствами соединений
§ І.І Дефектообразование и термодинамика процессов равновесной самокомпенсации
5 1.2 Особенности радиационного деДектообразования
в /ПВУ1
тт ут
§ 1.3 Ионное легирование соединений А В'
Выводы. Постановка задачи
Глава II. Исследование электрических и оптических свойств низкоомных слоев
£г5в 5 ионно-легированных 1л
§ 2.1 Методика получения ионно-легированных индием слоев 2л$е . Измерение электрофизических параметров
§ 2,2 Электрофизические параметры слоев селенида цинка,
ионно-легированного индием
§ 2.3 Фотолюминесценция селенида цинка, имплантированного индием
$ 2.4 Обсуждение результатов
Глава III. Дырочная проводимость селенида цинка, ионно-легированного мышьяком
§ 3.1 Особенности приготовления ионно-легированных слоев 21п$е р_типа и методика измерения их электрофизических параметров
$ 3.2 Электрические и оптические характеристики слоев
селенида цинка, ионно-легированного
й 3.3 Обсуждение результатов
ГЛАВА ІУ. Излучающие структуры с барьером Шоттки и импланта-ционным р-п-переходом на основе селенида цинка

o 4.1 Особенности излучающих структур на основе широкозонных соединений
§ 4.2 Технология приготовления и методика исследования
излучающих структур
$ 4.3 Сравнительные исследования инжекционной электролюминесценции в структурах с барьером Шоттки и имплантационннм р-п-переходом
§ 4.4 Обсуждение результатов
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

6,0м'1см/ уи,см2£Гс *
Рис.II. Зависимость электропроводности (б ) - I,
концентрации (А/ ) - 2 и холловской подвижности носиетелй (уин ) - 3 ионно-легированных индием слоев селенида цинка от дозы импланта-ции (Тотж= 550°С).