Доставка любой диссертации в формате PDF и WORD за 499 руб. на e-mail - 20 мин. 800 000 наименований диссертаций и авторефератов. Все авторефераты диссертаций - БЕСПЛАТНО
Хабарова, Ксения Юрьевна
01.04.10
Кандидатская
2006
Москва
127 с. : ил.
Стоимость:
499 руб.
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1 Аморфный гидрированный кремний
1.1.1 Структура и методы получения а-БЖ
1.1.2 Плотность электронных состояний в щели подвижности а-БЖ
1.1.3 Влияние легирования на плотность электронных состояний а-БЖ
1.1.4 Влияние освещения на плотность электронных состояний а-БЖ
1.2 Микрокристаллический гидрированный кремний
1.2.1 Получение и структура рс-БЖ
1.2.2 Плотность электронных состояний в рс-БЖ
1.3 Фотоэлектрические методы исследования распределения плотности электронных состояний в щели подвижности а-БЖ и рс-БЖ
1.3.1 Метод постоянного фототока
1.3.2 Метод фотомодуляционной спектроскопии
1.4 Выводы из обзора литературы и постановка задачи
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЙ
2.1 Методика измерения электрических и фотоэлектрических свойств пленок а-БЖ и рс-БЖ
2.2 Методика измерения спектральной зависимости коэффициента поглощения пленок а-БЖ и рс-БЖ
2.3 Методика измерения плотности электронных состояний из измерений температурных зависимостей переменной и постоянной составляющих фотопроводимости
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ПЛОТНОСТИ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ В рс-БЖ И а-БЖ(Ег)
3.1 Распределение плотности электронных состояний в хвостах зоны проводимости и валентной зоны рс-БЖ
3.2 Влияние легирования эрбием на плотность электронных состояний в щели подвижности а-БЖ
ГЛАВА 4. ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ СОСТОЯНИЯ В КОМПЕНСИРОВАННОМ АМОРФНОМ ГИДРИРОВАННОМ КРЕМНИИ
4.1 Влияние положения уровня Ферми на фотоиндуцированное изменение проводимости и плотности состояний в щели подвижности а-БШ
4.1.1. Исследованные образцы
4.1.2. Основные свойства исследованных пленок
4.1.3. Фотоиндуцированные изменения параметров исследованных пленок
4.2 Влияние освещения на плотность состояний в щели подвижности компенсированного а-БШ с большой концентрацией примесей
4.2.1 Основные свойства исследованных пленок
4.2.2 Фотоиндуцированные изменения проводимости исследованных пленок
4.2.2.1 Кинетика изменения проводимости в процессе освещения
4.2.2.2. Релаксация остаточной фотопроводимости после прекращения освещения
4.2.3 Фотоиндуцированные изменения плотности состояний в щели подвижности компенсированного а-вШ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ОПУБЛИКОВАННЫХ РАБОТ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
Актуальность темы. В последнее время ведутся интенсивные работы по разработке и созданию тонкопленочных электронных и оптоэлектронных приборов, таких как полевые транзисторы, солнечные элементы, фотоприемники. При этом в качестве материала, перспективного с точки зрения использования в тонкопленочных приборов повышенное внимание исследователей вызывают аморфный гидрированный кремний (а-Бг.Н) и микрокристаллический кремний (рс-БЬН). В основном это связано с тем, что указанные материалы довольно просты в получении и обладают целым рядом свойств, делающих их перспективными для использования в оптоэлектронике. Так, микрокристаллический гидрированный кремний, обладая стабильными фотоэлектрическими свойствами и хорошей технологической совместимостью с а-ЭЖ, находит применение в качестве кслоя в «тандемных» тонкопленочных солнечных элементах на основе рс-БЖ/а-БЖ. Аморфный гидрированный кремний, легированный эрбием (Ег) обладает эффективной фото- и электролюминесценцией с максимумом излучения на длине волны 1.54 мкм, соответствующей минимуму потерь в оптическом кварцевом волокне. Кроме того, совместимость технологий получения рс-ЭЖ и а-ЭЖ позволяет создавать различные структуры на основе комбинаций этих двух материалов.
Одной из основных характеристик любой неупорядоченной системы, к которым относятся а-БЖ и рс-БЖ, является плотность электронных состояний. Распределение плотности электронных состояний в щели подвижности а-БЖ и запрещенной зоне рс-БЖ во многом определяет как равновесные, так и неравновесные параметры указанных материалов. Однако к настоящему моменту в литературе практически отсутствуют данные о распределении плотности электронных состояний в рс-БЖ. В нелегированном а-8Ж плотность электронных состояний изучена в достаточной степени. В то же время нет данных о влиянии легирования эрбием на плотность электронных состояний в щели подвижности а-БЖ. Кроме того, поскольку свойства а-БЖ изменяются в результате предварительного освещения, представляет интерес исследовать фотоиндуцированное изменение плотности электронных состояний этого материала. В особенности данное исследование является необходимым для изучения эффекта остаточной фотопроводимости, заключающегося в увеличении проводимости в результате предварительного освещения пленок
КГМ-24
Инфракрасный спектрометр ИКС
микровольтметр селективный В6
Усилитель
селективный
Рис. 2.2. Блок-схема установки для измерений спектральных зависимостей коэффициента поглощения методом СРМ.
Янаг - нагрузочное сопротивление. Ф-фотоприемник.
ив - источник питания. 3 - зеркало.
Кобр - образец. М-модулятор.
Название работы | Автор | Дата защиты |
---|---|---|
Эффект позиционного беспорядка и примесное поглощение света в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами и точками | Зайцев, Роман Владимирович | 2001 |
Моделирование переходных процессов в силовых полупроводниковых приборах | Рабкин, Петр Беньяминович | 1983 |
Автокаталитический механизм спонтанной композиционной модуляции при эпитаксиальном росте трехкомпонентных соединений A III B V | Максимов, Кирилл Сергеевич | 2002 |