Влияние легирования и длительного освещения на плотность электронных состояний в щели подвижности микрокристаллического и аморфного гидрированного кремния
- Автор:
Хабарова, Ксения Юрьевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
127 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование проводимости полупроводниковых структур методом импедансной спектроскопии | Галеева, Александра Викторовна | 2011 |
| Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs | Кудряшов, Игорь Вениаминович | 2000 |
| Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs | Титков, Илья Евгеньевич | 2001 |