Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия
- Автор:
Комарницкая, Елена Александровна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
132 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Дефектно-примесная структура монокристаллов теллурида цинка и создание излучающих диодов на их основе | Иванов, Валерий Александрович | 1984 |
| Выращивание полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором, для детекторов ядерного излучения | Терентьев, Александр Иванович | 1998 |
| Исследование нанокомпозитных металлополимерных слоев, синтезированных высокодозной имплантацией ионов 3d-элементов | Хабибуллина, Наиля Рашидовна | 2005 |