Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия
- Автор:
Комарницкая, Елена Александровна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
132 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Люминесценция кристаллов вольфраматов двухвалентных элементов и свинца | Якимова, Ирина Олеговна | 2008 |
| Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs | Субач, Сергей Владимирович | 2001 |
| Квантовые точки I и II типа | Макаров, Александр Геннадьевич | 2004 |