Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия
- Автор:
Комарницкая, Елена Александровна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
132 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптические свойства квантовых нитей CdSe/Al2 O3 и квантовых точек CdSe/ZnSe | Шалыгина, Ольга Александровна | 2002 |
| Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP : МОС-гидридная эпитаксия, свойства и применения в оптоэлектронных приборах | Лабутин, Олег Анатольевич | 1999 |
| Расчет энергетических характеристик гетероструктур и барьеров Шоттки, сформированных на политипах карбида кремния | Посредник, Олеся Валерьевна | 2005 |