Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия
- Автор:
Комарницкая, Елена Александровна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
132 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Автоколебания и релаксации фототока в кремнии, легированном селеном | Чистохин, Игорь Борисович | 1998 |
| Исследование полупроводниковых наноструктур на основе систем InGaAs/GaAs, InAs/InGaAs/GaAs и микроструктур на основе соединения Ge2Sb2Te5 методом спектроскопии низкочастотного шума | Ермачихин, Александр Валерьевич | 2014 |
| Синтез и ионно-лучевая модификация алмазоподобных углеродных плёнок | Базаров, Валерий Вячеславович | 2003 |