Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия
- Автор:
Комарницкая, Елена Александровна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
132 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия», автор — Комарницкая, Елена Александровна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Москва в 2000 году. Объем работы: 132 с.. Внутренний код товара: 01000261890. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Люминесцентная спектроскопия электронных и примесных состояний в эпитаксиальных слоях и наногетероструктурах на основе полупроводников AIIIBV и их твердых растворов | Яременко, Наталья Георгиевна | 2013 |
| Суперпарамагнетизм и сверхпроводимость в системе 3d-центров | Попов, Борис Петрович | 2008 |
| Теория спиновых флуктуаций носителей заряда в полупроводниковых наноструктурах | Смирнов Дмитрий Сергеевич | 2018 |