Особенности дефектообразования в ионноимплантированных слоях арсенида галлия
- Автор:
Комарницкая, Елена Александровна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2000
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
132 с.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых наногетероструктур | Зубков, Василий Иванович | 2007 |
| Диффузионные структуры на основе арсенида галлия, легированного Fe и Cr | Прудаев, Илья Анатольевич | 2009 |
| Фотоэлектрические и яркостные характеристики структур GaAs-ZnS для твердотельных преобразователей изображений | Яскевич, Тамара Михайловна | 2013 |