Атомно-силовая микроскопия заращенных Si,Ge наноразмерных островков : диагностика и зарядовая нанолитография

• Автор: Дунаевский, Михаил Сергеевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2007
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 163 с. : ил.

1. АТОМНО - СИЛОВАЯ МИКРОСКОПИЯ - МЕТОД • ДИАГНОСТИКИ И СОЗДАНИЯ НАНОСТРУКТУР
1.1 Концепция атомно-силовой микроскопии
1.2 Взаимодействие зонда с поверхностью
1.3 Основные моды АСМ
1.4 Примеры двухпроходных методик АСМ
1.5 Обработка получаемых изображений
1.6 Литографические методики.
1.7 Применение АСМ для диагностики наноструктур Выводы
2. ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАРАЩЕННЫХ СеБі НАНООСТРОВКОВ И КВАНТОВЫХ ТОЧЕК ІпБЬ МЕТОДОМ АТОМНО-СИЛОВОЙ МИКРОСКОПИИ НА СКОЛАХ СТРУКТУР
2.1 Введение
2.2 Объект исследования
2.3 АСМ исследования структур с одним слоем веБІ наноостровков до заращивания
2.4 АСМ исследования структур с одним слоем СеБі наноостровков после заращивания
2.5 АСМ исследования структур с 5-ю слоями СеБі наноостровков
2.6 АСМ исследования гетероструктуры с 10-ю слоями ІпБЬ КТ в СаБЬ матрице
Выводы
3. ВИЗУАЛИЗАЦИЯ ТРАВЛЕНИЕМ ЗАРАЩЕННЫХ НАНОКРИСТАЛЛОВ БІ В ТЕРМИЧЕСКОМ ОКИСЛЕ БЮ2
3.1 Введение

3.2 АСМ визуализация заращенных нанокристаллов Бі в термическом окисле 8Ю2 на протравленной поверхности
3.3 Измерения локальной твердости
Выводы
4. ЛОКАЛЬНАЯ ЗАРЯДКА ЗОНДОМ АТОМНО-СИЛОВОГО МИКРОСКОПА ТОНКИХ СЛОЕВ ТЕРМИЧЕСКОГО ОКИСЛА ЬЮ2 СОДЕРЖАЩИХ ві И ве НАНОКРИСТАЛЛЫ
4.1 Введение
4.2 Приготовление и оптимизация образцов для исследования
4.3 Выполнение локальной зарядки АСМ-зондом и режимы визуализации
4.4 Результаты эксперимента по локальной зарядке Ьі-НК в ЬЮ2
4.5 Моделирование взаимодействия АСМ-зонда с заряженным нанокристаллом. Оценка числа носителей заряда, локализованных в 8І-НК
4.6 Результаты эксперимента по локальной зарядке ве-НК в ЬЮ2
4.7 Выполнение зарядовых литографических рисунков '
Выводы
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
Список использованной литературы

В последнее десятилетие стало уделяться много внимания разработке методов получения и изучению свойств твердотельных структур с линейными размерами порядка десятков нанометров и менее. Структуры столь малых размеров обычно называются наноструктурами и они могут проявлять удивительные свойства отличные от свойств объемных материалов. Исследования по получению наноструктур, их диагностике и практическим применениям получили название работ в области нанотехнологий.
В настоящее время интерес к наноструктурам связан с бурным развитием информационных технологий и необходимостью дальнейшей миниатюризации приборов микро- и оптоэлектроники. В качестве примера яркого успеха работ в области нанотехнологии можно отметить разработку технологии изготовления процессоров с техпроцессом 65 и 90нм. Современные полупроводниковые лазеры содержат в качестве активной среды наноструктуры - квантовые ямы и квантовые точки. Кроме микро- и оптоэлектроники существует огромный интерес к применению твердотельных наноструктур в биологии и медицине (в качестве люминесцентных маркеров), в химической промышленности и энергетике (в качестве катализаторов) и во многих других областях.
Важнейшую роль при исследовании наноструктур играют методы диагностики. Одним из наиболее удобных методов диагностики наноструктур на сегодняшний день является атомно-силовая микроскопия (АСМ). АСМ - это семейство экспериментальных методов локального изучения свойств поверхности, основанных на взаимодействии твердотельного острого зонда с изучаемой поверхностью. Атомно-силовая микроскопия также предоставляет