Влияние флуктуаций состава на электронные свойства твердых растворов полупроводников

• Автор: Аблязов, Нурлан Насирович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 162 c. : ил

Введение
Глава I. Плотность состояний дырок в твердом растворе с вырожденной валентной зоной
1. Введение

2. Взаимодействие частицы с флуктуациями

состава твердого раствора

3. Метод оптимальной флуктуации для невырожденной параболической зоны

4. Энергетический спектр валентной зоны

на основе гамильтониана Латтинжера

5. Сдвиг вершины валентной зоны в случайном

. потенциале типа "белый шум"

6. Формулировка метода оптимальной флуктуации

для вырожденной валентной зоны
7. Выражение для предэкспоненциального
множителя
Глава 2. Ширина линии экситонного поглощения в твердых растворах
1. Введение
2. Экситон в твердом растворе
3. Оценка ширины линии экситонного поглощения
при больших длинах локализации
4. Оценка ширины линии при малых длинах локализации
5. Сравнение с экспериментом

Глава 3. Рассеяние электронов в бесщелевом полупроводнике
1. Введение
2. Метод парциальных волн
3. Рассеяние электрона на потенциальной яме
4. Резонансы и их ширины
Глава 4. Влияние флуктуаций состава на электронные свойства бесщелевых полупроводников. Флуктуационная модель бесщелевого полупроводника
1. Введение
2. Экспериментальные особенности бесщелевых твердых растворов
и донорно-акцепторная модель бесщелевого полупроводника
3. Флуктуационная модель бесщелевого полупроводника
4. Концентрация остаточных электронов в рамках флуктуационной модели бесщелевого полупроводника с кейновским спектром
5. Вычисление подвижности электронов 104 -
6. Температурная зависимость уровня Ферми
7. Сравнение с экспериментом
Глава 5. Флуктуационная модель перехода бесщелевой полупроводник - нормальный полупроводник при всестороннем сжатии
I. Введение

2. Взаимодействие электрона с флуктуациями состава в узкощелевом полупроводнике . ,
с кейновским спектром
3. Ширина дырочных флуктуационных уровней
в узкощелевом полупроводнике с кейновским спектром
4. Положение уровня Ферми
5. Расчет подвижности электронов
6. Сравнение с экспериментальными данными
Заключение
Приложения
Литература

нормировки непротиворечива, если только выполняется соотношеи = ^ (1.64)
являющееся свойством уравнения оптимальной флуктуации. Доказательство этого соотношения для случая вырожденной зоны можно найти в диссертации Кусмарцева [32]
7. Выражение для предэкспоненциального множителя
В приложении 2 показано, что детерминант в правой части формулы (1.62) можно представить в виде
Л ■ 1У Хг я( где г
т=п(1-^-) «-ее)
а Хк > 0 СУТЬ собственные числа уравнения
-к(р)1К> + А-3Т>}К >ц>67)
причем в произведении (1.66) 4 собственных числа ( X = 1/3 для X = 1/3 и трехкратно вырожденное число X = I для £ =1) должны быть исключены.
В трехмерном случае детерминант $/%) является особенной величиной
3)(г) = е#р[х (1.68)
так как ^/Хк~^ 00. Покажем это. Решение уравнения
(1.67) можно записать в виде „
(1>бэ)
где (^ - функция Грина (1.29), которая в данных
безразмерных переменных имеет вид
г п> (г г') - - Г гге"г£'г'; Г А 1- -Д1£Д_1 (т „т
> [ьГо-сЧМ ЧГ0-р-1КгН£]{ 1*7°)