Миграция электронных возбуждений и формирование спектров люминесценции в пространственно-неоднородных полупроводниковых структурах A3B5

• Автор: Криволапчук, Владимир Васильевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 335 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. МИГРАЦИЯ ВОЗБУЖДЕНИЯ И ЭКСИТОННЫЕ СПЕКТРЫ

ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В АРСЕНИДЕГАЛЛИЯ

§1. Влияние пространственно-неоднородного распределения центров на

форму линии Б°,х

§2. Экспериментальное наблюдение метастабильных состояний в

затухании краевой фотолюминесценции арсенида галлия

1.1. Образцы и эксперимент

1.2. Долговременное затухание фотолюминесценции

§3. Захват носителей метастабильньтми центрами. Эксперимент
1.1 Зависимость от интенсивности возбуждения
1.2. Влияние температуры на захват носителей в метастабильные состояния
1.3. Влияние одноосного давления
1.4. Влияние магнитного поля на заселение метастабильных состояний...47 §4. Обсуждение зависимости заселения метастабильных состояний от внешних воздействий
4.1. Интенсивность
4.2. Зависимость от температуры одноосного давления и магнитного
поля
§5. Влияние метастабильных состояний на стационарные спектры-вблизи края собственного поглощения
5.1. Соотношение интенсивностей линий Б°,х и П°Д1
5.2. Спектральное положение и ширина линии О0,х
Выводы к главе
ГЛАВА И, ИЗЛУЧЕНИЕ ПРОСТРАНСТВЕННО-НЕПРЯМЫХ
ЭКСИТОНОВ В СВЯЗАННЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ
Введение

§1. Эксперимент
1.1. Форма линии излучения
1.2. Влияние внешнего электрического поля и интенсивности фотовозбуждения на эволюцию полуширины линии люминесценции пространственно-непрямых экситонов
1.3. Влияние внешнего магнитного поля на поведение непрямого
экситона
§2. Гигантский всплеск интенсивности излучения линии пространственно-непрямых экситонов в двойных квантовых ямах
GaAs/AlGaAs
§3. Излучение конденсированного состояния экситонов
3.1. Экспериментальные результаты
3.2 Перенос фазы
Выводы к главе II
ГЛАВА III. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КРИСТАЛЛОВ GaN,
ЛЕГИРОВАННЫХ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫМИ ЭЛЕМЕНТАМИ
Введение
1.1. Образцы и эксперимент
§ 1. Фотолюминесценция GaN
1.2. Исследование поляризованной фотолюминесценции эпитаксиальных
слоев GaN
§2. Близкраевая фотолюминесценция кристаллов GaN, легированных редкоземельными элементами (GaN)
2.1. Введение и свойства РЗИ
2.2. Спектры кристаллов п-GaN, легированных редкоземельными элементами Sm, Ей и Er
a) Легирование GaN Sm, Eu
b) Легирование п-GaN Er
§3. Комплексное легирование редкоземельными элементами

3.1. Фотолюминесценция п-ОаЖЕи>
3.2. Фотолюминесценция рЮа!4<Еи>
3.3. Фотолюминесценция п-СаЖЕи, Zn, Ег>
3.4. Фотолюминесценция р-ЦаЖЕг>
§4. Обсуждение особенностей формирования спектров люминесценции в
СаИ разных типов проводимости, легированных РЗИ
Выводы к главе III
ГЛАВА IV. МИГРАЦИЯ ВОЗБУЖДЕНИЯ И ФОРМА ЛИНИИ ИЗЛУЧЕНИЯ В СТРУКТУРАХ С КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ НА
ОСНОВЕ ЬЮаЖЗаИ
Введение
§1.Стационарные спектры люминесценции
1.1 Спектральное положение линии люминесценции
1.2. Интенсивность линии люминесценции
§2. Формирование линии люминесценции
§3. Спектры фотолюминесценции при импульсном возбуждении
3.3 Встроенные электрические поля
§4. Перенос возбуждения
§5. Электролюминесценция структур с квантовыми ямами на основе
ІпОаЖтаИ
§6. Люминесценция структур с квантовыми ямами ІпСаЖЗаМ,
легированных Ей и Ег
6.1. Влияние легирования Ей, на сенсибилизацию излучения в структурах
с квантовыми ямами СаАз/АЮаАэ и СаМ/1пОаЫ
Выводы к главе IV
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ

Time, цв
Рис. 1.6. Затухание ФЛ линии Б0,Ь - заштрихованная область отвечает интегралу Вм8 (а); на нижнем рисунке (Ъ) - затухание двух разных образцов.