Свойства высокотемпературных омических контактов к гетероструктурам 3C-SiC/Si
- Автор:
Колесникова, Анна Алексеевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Самара
- Количество страниц:
133 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование механизма пассивации поверхности InAs(111)A фторсодержащими анодными слоями | Аксенов Максим Сергеевич | 2019 |
| Излучательная рекомбинация дырок на уровнях размерного квантования в дельта- ρ-легированном арсениде галлия | Гилинский, Александр Михайлович | 1999 |
| Структура и электрофизические свойства полупроводниковых металлооксидных нанокомпозитов при взаимодействии с газами | Рембеза, Екатерина Станиславовна | 2006 |