Свойства высокотемпературных омических контактов к гетероструктурам 3C-SiC/Si
- Автор:
Колесникова, Анна Алексеевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Самара
- Количество страниц:
133 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фотоэмиссионные исследования электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников | Корнев, Константин Петрович | 1983 |
| Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs | Власов, Юрий Николаевич | 2012 |
| Исследование фотолюминесценции легированных композитных пленок PbSe и твердых растворов Pb1-xCdxSe | Тропина, Наталья Эдуардовна | 2013 |