Кинетические коэффициенты прыжкового переноса и плотность электронных состояний в неупорядоченных системах с сильной локализацией носителей заряда

• Автор: Потапова, Дарья Александровна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 169 с.

Оглавление
Введение
Глава 1. Современное состояние и проблемы изучения электронных свойств теллурида свинца и твердых растворов на его основе
1.1. Общие сведения о строении и свойствах теллурида свинца
1.2. Примесные состояния индия в соединениях РЬТе и РЬі_ж8пжТе
1.3. Явления переноса в соединениях РЬТе и РЬг-^Эп^Те, ле-
гированных 1п
1.4. Теория термоэдс в неупорядоченных системах с прыжко-
вой электропроводностью
1.4.1 Температурная зависимость термоэдс при различ-
ных механизмах переноса заряда
1.4.2 Кинетическое уравнение прыжкового переноса и
методы его решения
1.4.3 Температурная зависимость термоэдс в режиме Я-
протекания
1.4.4 Температурная зависимость термоэдс в режиме II-
є-протекания

Глава 2. Явления переноса и плотность локализованных состояний в твердых растворах Pbo.7sSno.22Te, легированных индием
2.1. Возможность анализа плотности состояний на основании
температурных зависимостей коэффициента термоэдс и проводимости
2.2. Методика эксперимента
2.2.1. Технология изготовления опытных образцов
2.2.2. Методика измерения температурных зависимостей термоэдс и удельной проводимости
2.3. Температурные зависимости проводимости и термоэдс в (РЬо.788по 22)0 95 ^0.05Те при дополнительном легировании хлором и таллием
2.4. Расчет плотности примесных состояний индия в (РЬолвБпо 22)0.95 In.ct.05Te
2.5 Явления переноса заряда в (РЬо.788по.22)1_х 1пхТе при низких температурах
2.5.1. Температурные зависимости коэффициента термоэдс и проводимости в (Pbo.7gSno.22) 1_х 1пхТе в низкотемпературной области
2.5.3. Механизмы электропроводности и термоэдс в (РЬ() 788ио,22)1—2 йр-Те при низких температурах
2.6. Анализ эффекта Нернста-Эттингсхаузена в (РЬо.788п0.22)1_х1пгТе
Глава 3. Электронные свойства аморфных оксидов пере-

ходных элементов
3.1. Явления прыжкового переноса в аморфных оксидах пере-
ходных элементов
3.2. Методика экспериментального определения плотности со-
стояний в аморфных высокоомных материалах с прыжковой электропроводностью
3.2.1. Возможность определения плотности состояний в
аморфных веществах с сильной локализацией носителей заряда на основании температурной зависимости проводимости
3.2.2. Методика изготовления опытных образцов
3.2.3. Методика измерений
3.3. Плотность локализованных электронных состояний и свойства аморфного оксида ниобия
Глава 4. Изучение эффектов протекания в неупорядоченных и сильно неоднородных системах при изучении физики конденсированного состояния вещества
4.1. Основы теории протекания в учебных курсах как инно-
вация их содержания
4.2. Моделирование в решении задач теории протекания
4.3. Экспериментальное исследование эффектов протекания
Заключение
Литература

низких температурах вторым слагаемым в числителе (1.4) можно пренебречь:
Л«Я,(^)2. (1.5)
Полагая, что
Л1~;Гехр{§) (1'6)
получим следующую температурную зависимость коэффициента Холла:
[ 2Е3 -Еу)
р Ш /' (1'7)
Таким образом, энергия активации коэффициента Холла Ел равняется Ец — 2Ез — Еу.
В работе [56] экспериментально полученное значение Ел оказалось приблизительно вдвое большим энергии активации прыжковой электропроводности Ез . Таким образом, величина Еу мала настолько что, определение параметров Ел и Ез с известной точностью не позволяет её вычислить.
Как и коэффициент Холла, коэффициент Нернста-Эттингсхаузена в случае только прыжкового механизма переноса мал, так что для анализа экспериментальных данных необходимо привлекать модель двухканальной электропроводности. В этом случае коэффициент Нернста-Эттингсхаузена будет определяться как [56]
<Э = <Э1-+ <Эз- + ^ (& - 5а) (Якп + Ят) ■ (1.8)
а а а
Пренебрегая величинами /?з и Оз вследствие их малости и, учитывая, что Яа = Яуа/(т, получим: