Фотоэлектрические преобразователи излучения на основе узкозонных полупроводников (GaSb, Ge, InAs)
- Автор:
Хвостикова, Ольга Анатольевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
131 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронный транспорт и фотопроводимость в нанокристаллических пленках PbTe(In) | Добровольский, Александр Александрович | 2010 |
| Особенности морфологии легких и интраорганных кровеносных сосудов у ягнят | Талипов Нияз Хатимович | 2016 |
| Формирование и модификация кремниевых светоизлучающих квантово-размерных наноструктур радиационными методами | Черкова Светлана Глебовна | 2018 |