Фотоэлектрические преобразователи излучения на основе узкозонных полупроводников (GaSb, Ge, InAs)
- Автор:
Хвостикова, Ольга Анатольевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
131 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование неизотермической электрической релаксации заряда в кристаллах природного алмаза | Питиримов, Алексей Николаевич | 1998 |
| Полупроводящий тройной сополимер метилметакрилата, бутилметакрилата и метакриловой кислоты, модифицированный углеродными нанотрубками: строение и свойства | Элбакян Лусине Самвеловна | 2017 |
| Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров диоксида азота на основе тонких пленок WO3 | Рудов, Фёдор Валентинович | 2012 |