Фотоэлектрические преобразователи излучения на основе узкозонных полупроводников (GaSb, Ge, InAs)
- Автор:
Хвостикова, Ольга Анатольевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
131 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Дефектно-примесная структура монокристаллов теллурида цинка и создание излучающих диодов на их основе | Иванов, Валерий Александрович | 1984 |
| Структура и термостабильность пленок металлосодержащих кремний-углеродных нанокомпозитов | Пресняков, Михаил Юрьевич | 2014 |
| Магнитные осцилляции оптических и транспортных характеристик квантовых точек и колец | Ковалёв, Вадим Михайлович | 2007 |