Фотоэлектрические преобразователи излучения на основе узкозонных полупроводников (GaSb, Ge, InAs)
- Автор:
Хвостикова, Ольга Анатольевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2009
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
131 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Фотоэлектрические преобразователи излучения на основе узкозонных полупроводников (GaSb, Ge, InAs)», автор — Хвостикова, Ольга Анатольевна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2009 году. Объем работы: 131 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004351025. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Трехчастичные электрон-дырочные комплексы в квантоворазмерных гетероструктурах | Сергеев, Ринат Александрович | 2004 |
| Самоупорядоченные наноразмерные структуры на основе твердого раствора кремний-германий, полученные методом ионной имплантации | Иржак, Артемий Вадимович | 2004 |
| Релаксация неравновесного обеднения на поверхности кремния при сильных электрических полях | Кириллова, Светлана Ильинична | 1984 |