Исследование полупроводниковых наноструктур на основе систем InGaAs/GaAs, InAs/InGaAs/GaAs и микроструктур на основе соединения Ge2Sb2Te5 методом спектроскопии низкочастотного шума
- Автор:
Ермачихин, Александр Валерьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Рязань
- Количество страниц:
191 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование полупроводниковых наноструктур на основе систем InGaAs/GaAs, InAs/InGaAs/GaAs и микроструктур на основе соединения Ge2Sb2Te5 методом спектроскопии низкочастотного шума», автор — Ермачихин, Александр Валерьевич, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Рязань в 2014 году. Объем работы: 191 с. : ил.. Внутренний код товара: 01007856115. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si | Макаренко, Владимир Александрович | 2006 |
| Динамика электронных состояний в слоистых системах на основе эпитаксиальных феррит-гранатовых пленок | Кожухарь, Анатолий Юрьевич | 2005 |
| Закономерности формирования и физические свойства структур металл-полупроводник и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников | Гусейханов, Магомедбаг Кагирович | 1999 |