Исследование полупроводниковых наноструктур на основе систем InGaAs/GaAs, InAs/InGaAs/GaAs и микроструктур на основе соединения Ge2Sb2Te5 методом спектроскопии низкочастотного шума
- Автор:
Ермачихин, Александр Валерьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Рязань
- Количество страниц:
191 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронно-энергетическое строение и субструктура нанослоев SnOx | Чувенкова, Ольга Александровна | 2007 |
| Спектры спинволновых возбуждений доменных границ в сильно- и слабоанизотропных ферримагнетиках | Алексеев, Александр Михайлович | 1998 |
| Магнитные фазовые переходы и физические свойства реальных материалов со сложной магнитной структурой | Мусаев, Гапиз Гапизович | 2000 |