Исследование полупроводниковых наноструктур на основе систем InGaAs/GaAs, InAs/InGaAs/GaAs и микроструктур на основе соединения Ge2Sb2Te5 методом спектроскопии низкочастотного шума
- Автор:
Ермачихин, Александр Валерьевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2014
- Место защиты:
Рязань
- Количество страниц:
191 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Стимулирование синтеза диэлектрических слоев в кремнии дальнодействующим ионным облучением | Марков, Кирилл Александрович | 2002 |
| Физические процессы при ионно-лучевом синтезе структур на основе кремния | Тысченко, Ида Евгеньевна | 2015 |
| Спонтанное формирование полупроводниковых наноструктур | Щукин, Виталий Александрович | 1998 |