Электрофизические характеристики и структурно-фазовый состав наноразмерных структур в системе Ga2Se3/GaAs
- Автор:
Стародубцев, Александр Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
145 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения | Шайблер, Генрих Эрнстович | 2001 |
| Спектры спинволновых возбуждений доменных границ в сильно- и слабоанизотропных ферримагнетиках | Алексеев, Александр Михайлович | 1998 |
| Особенности распределения заряженных центров в области пространственного заряда оптоэлектронных структур при их формировании, термополевых и радиационных воздействиях | Маняхин, Федор Иванович | 1998 |