Электрофизические характеристики и структурно-фазовый состав наноразмерных структур в системе Ga2Se3/GaAs
- Автор:
Стародубцев, Александр Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
145 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Поляризационные оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых структурах | Андрианов, Александр Васильевич | 2007 |
| Электронная микроскопия имплантированных структур на основе карбида кремния | Суворова, Александра Александровна | 1999 |
| Влияние внешних воздействий на динамику дислокаций в кремнии вблизи концентраторов напряжений | Явтушенко, Игорь Олегович | 2008 |