Электрофизические характеристики и структурно-фазовый состав наноразмерных структур в системе Ga2Se3/GaAs

• Автор: Стародубцев, Александр Александрович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Воронеж
• Количество страниц: 145 с. : ил.

ГЛАВА 1. ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРОЦЕССЫ НА ПОВЕРХНОСТИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
1.1. Поверхностные электронные состояния на СаАя
1.1.1. Электронные процессы, происходящие на поверхности арсенида галлия при абсорбции кислорода
1.1.2. Электронные процессы, происходящие на поверхности арсенида галлия при нанесении металлических покрытий
1.2. Реконструкция поверхности арсенида галлия
1.2.1. Реконструкция поверхности арсенида галлия при расколе кристалла в сверхвысоком вакууме
1.2.2. Реконструкция поверхности арсенида галлия в процессе обработки в халькогенсодержащих средах
1.3. Пассивация поверхности арсенида галлия обработкой в халькогенах
1.3.1. Халькогенидная пассивация из растворов
1.3.2. Халькогенидная пассивация из газовой фазы
1.4. Наноструктуры на основе арсенида галлия
Выводы по главе 1
ГЛАВА 2. ОБРАЗОВАНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ СЛОЕВ СЕЛЕНИДА ГАЛЛИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ ПРИ ОБРАБОТКЕ В ПАРАХ СЕЛЕНА
2.1. Формирование гетеро- и наноструктур в системе Са28е3/СаА8 для исследования
2.1.1. Подготовка подложек арсенида галлия

2.1.2. Получение слоев селенида галлия методом гетеровалентного замещения
2.2. Структурно-фазовые превращения на поверхности СаАв(100) при обработке в парах селена
2.2.1. Утонение образцов ОаАэ и ОаА8(ЮО)/ Оа28е3 для дифракционных исследований в просвечивающем электронном микроскопе
2.2.2. Электронно-микроскопические исследования структур ОаАз(ЮО)-Оа28е3
2.3. Топология поверхности арсенида галлия, обработанной в парах селена
Выводы по главе 2
ГЛАВА 3. ИЗМЕНЕНИЕ ПОЛОЖЕНИЯ УРОВНЯ ФЕРМИ В АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ ПРИ ОБРАБОТКЕ В ПАРАХ СЕЛЕНА
3.1. Методы измерений электрофизических параметров диодов Шоттки Ме(А1, АиуСаАв н Ме(А1,Аи)/Са28е3/СаА8
3.1.1. Метод вольт-амперных характеристик
3.1.2. Метод вольт-фарадных характеристик
3.1.3. Температурная зависимость 1(Т)
3.2. Электрофизические характеристики диодов Шоттки Ме (А1, АиуСаАэ, сформированных до обработки поверхности арсенида галлия
в парах селена
3.3. Электрофизические характеристики диодов Шоттки Ме (Аи, А1)/СаАз после обработки поверхности арсенида галлия в парах селена (структура Ме - Са28е3 - СаАв)
Выводы по главе 3

ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ В ПАРАХ СЕЛЕНА НА НЕОДНОРОДНОСТЬ ПОВЕРХНОСТИ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
4Л. Влияние неоднородности поверхности арсенида галлия на электрофизические свойства диодов Шоттки Ме (Аи, А1)/СаАв
4.2. Получение атомно-гладкой поверхности арсенида галлия
Выводы по главе 4
Выводы по диссертации
Список цитируемой литературы

толщины. По данным фотоэмиссионной спектроскопии обнаружено образование устойчивых связей Лэ-Зе на поверхности ОаАз. Концентрация данных связей значительно выше на поверхности ОаАз(111)В, чем на ОаАэДОО), ввиду присутствия на поверхности ОаАз(111)В большого количества мышьяка, взаимодействующего с осаждающимся селеном.
В работе [5] авторы с целью создания изолирующего покрытия обрабатывали поверхность ваАя в парах селена. Эксперименты проводились в предварительно откачанных ампулах, при этом происходила реакция гетеровалентного замещения (ГВЗ) мышьяка селеном с образованием слоя СагБез. Эти исследования продолжились в [93], где подложки из ваАБ подвергались обработке в парах селена в камере квазизамкнутого объема (КЗО) (рис. 1.10). Реакционный объем состоит из кварцевого стакана с графитовой крышкой, которая является подложкодержателем. Сам стакан размещен в графитовом стакане, стенки и дно которого содержат нагреватели из молибденовой проволоки с керамической изоляцией. Температуры графитовой крышки, стенок и дна независимо регулируются с помощью прецизионного блока управления с точностью ±0.5°С. КЗО монтировался в вакуумной камере установки ВУП-4. Вакуумная система обеспечивала давление остаточных газов в камере не хуже 10‘6 мм.рт.ст. Основным преимуществом данного способа является возможность уменьшения степени загрязнения посторонними примесями реакционного пространства КЗО во время термической обработки подложки в парах селена. Это достигается благодаря так называемому эффекту “паровой пробки”, когда пары селена “запирают” технологические отверстия КЗО и затрудняют тем самым проникновение остаточных газов вакуумной камеры внутрь КЗО. Давление паров воды и кислорода внутри КЗО ниже почти на 3 порядка по сравнению с давлением остаточных газов в вакуумной камере установки, то есть в экспериментах, проводимых в данной работе, парциальное давление

остаточных газов внутри КЗО должно быть не хуже 10' мм рт.ст. Перед обработкой с поверхности арсенида галлия удаляли нарушенный слой