Электрофизические характеристики и структурно-фазовый состав наноразмерных структур в системе Ga2Se3/GaAs
- Автор:
Стародубцев, Александр Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
145 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Аддитивная теория силового взаимодействия в атомно-силовой микроскопии и ее приложения в диагностике поверхностных микроструктур | Благов, Евгений Владимирович | 2001 |
| Исследование методом эллипсометрии диэлектрических и полупроводниковых структур микроэлектроники | Резвый, Ростислав Ростиславович | 1998 |
| Разработка, исследование свойств и оптимизация характеристик мощных InGaAsP/InP лазеров | Лешко, Андрей Юрьевич | 2000 |