Туннельные и магнитные спин-зависимые эффекты в кубических полупроводниках без центра инверсии

• Автор: Алексеев, Павел Сергеевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 110 с. : ил.

Оглавление
Введение
1 Спин-зависимое резонансное туннелирование
1.1 Обзор литературы: спин-зависимое туннелирование в магнитных и
намгнитных структурах, фильтрация и детектирование спина, нерезонансные и резонансные структуры
1.2 Спин-зависимая туннельная прозрачность двухбарьерной структуры
1.3 Туннельный ток спин-поляризованных электронов и туннельный
спин-гальванический эффект
1.4 Спиновая ориентация электронов при туннелировании
2 Гамильтониан Дрессельхауза в магнитном поле
2.1 Обзор литературы: метод эффективной массы и спин-зависимые поправки к электронным состояниям в магнитном поле
2.2 Гамильтониан Дрессельхауза в однородном магнитном поле
2.3 Гамильтониан Дрессельхауза в неоднородном магнитном поле
2.4 -гамильтониан метода эффективной массы в неоднородном магнитном поле
2.5 Спин-орбитальньтс поправки к электронному спектру в одиночной
квантовой яме

2.6 Спин-орбитальные поправки к электронному спектру в двойной
квантовой яме
3 Анизотропия зоны проводимости объёмного полупроводника в сильном магнитном поле
3.1 Обзор литературы: анизотропия уровней Ландау в объёмном полупроводнике; характерные диапазоны магнитных полей: явления, связанные с анизотропией уровней Ландау
3.2 Влияние слагаемого Дрессельхауза на состояния электронов в квантующем магнитном поле
3.3 Полная формула для анизотропии уровней Ландау в сильном магнитном поле
3.4 Сравнение рассчитанной анизотропии -фактора с экспериментальными данными по анизотропии циклотронного резонанса
3.5 Магнитокристаллическая анизотропия п-легированиого полупроводника
Заключение
А Приближённое вычисление прозрачности прямоугольного барьера, искажённого приложенным к нему напряжением
В Формула прозрачности двухбарьерной несимметричной структуры
С Общий вид /(’'-гамильтониана в полупроводнике симметрии цинковой обманки

Публикации автора по теме диссертации Литература
близком к тому, при котором максимален туннельный ток; после смены знака появляется резкий пик.
Таким образом, рассмотренный эффект спиновой ориентации выстроенных по импульсу электронов при туннелировании через двухбарьерную структуру открывает возможность создания спинового инжектора, регулируемого приложенным к структуре напряжением. Прикладывая различные По можно будет управлять величиной и направлением спиновой поляризации.