Электронный энергетический спектр неоднородных, пространственно ограниченных и слоистых полупроводниковых структур

• Автор: Касаманян, Затик Акопович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 1982
• Место защиты: Ереван
• Количество страниц: 342 c. : ил

ГЛАВА I. ВОПРОСЫ СТРОГОЙ ТЕОРИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА

Глава II. МЕТОД ФУНКЦИЙ ГРИНА В ТЕОРИИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО

СПЕКТРА И РАССЕЯНШ

§ I. Метод последовательного и точного учета взаимодействий

§ 2. Решение задачи о примесных уровнях в модели

короткодействующего потенциала атомов периодической системы

§ 3. Энергетический спектр одномерной периодической системы с модельным случайным потенциалом

§ 4. Отражение частицы на границе раздела двух

Сред

§ 5. Функция Грина одномерной контактной задачи

§ 6. Энергетический спектр дефектов в одномерной

периодической системе
§ 7. К трехмерной теории глубоких уровней в полупроводниках в резко меняющихся ПОЛЯХ
§ 8. Связь между фазовой функцией и функцией Грина
§ 9. О последовательном решении квантовомеханической задачи для различных степеней свободы
§10. Обобщение теории контактных состояний для многоэлектронной системы и на случай других квазичастиц (фононов, плазмонов и фотонов). . . Ю7
Глава III. ЭЛЕКТРОННЫЕ СОСТОЯНИЯ НА ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

§11. Одномерная теория собственных поверхностных состояний в модели скачкообразного изменения
потенциала поверхности
§12. Учет искажения периодичности потенциала решетки вблизи поверхности
§13. Поверхностные состояния в улучшенной модели
потенциала поверхности
§14. Матрица функций Грина и поверхностные состояния при нулевых граничных условиях
§15. Отражение медленных электронов от кристаллической структуры
§16. Трехмерная теория поверхностных состояний
§17. Поверхностные состояния в полупроводниках при
учете дефектов в приповерхностном слое. .... 154 §18. Эффективная масса в поверхностной подзоне в
полупроводниках с узкой запрещенной зоной
§19. Распределение поверхностных и пленочных состояний б полупроводниках при случайных граничных
условиях
Глава IV. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ЭЛЕКТРОНА В КВАНТОВАННОЙ ТОНКОЙ ПЛЕНКЕ
§20. Модель бесконечно высоких потенциальных
стенок
§21. Случай периодического поля внутри пленки. . . . 178 §22. Строгая одномерная теория энергетического
спектра электрона в квантованной тонкой пленке. 182 §23. Трехмерная теория энергетического спектра
электрона в квантованной тонкой пленке

§24. Изменение знака постоянной Холла в полуметалли-ческой тонкой пленке в области квантового превращения в полупроводник
§25. Поглощение света в полупроводниковой тонкой
пленке с участием поверхностных состояний. ... 196 §26. Отражение медленных электронов от тонкой
кристаллической структуры
Глава V. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ И БОЛЕЕ
СЛОЖНЫХ СЛОИСТЫХ СИСТЕМ
§27. Контактные уровни на границе раздела двух идеальных одномерных подсистем
§28. Осцилляции локальной плотности состояний в гетероструктурах и системах металл-диэлектрикполупроводник
§29. Влияние контактных состояний на туннельное прохождение носителей зарядов в структурах
металл-нитрид-окисел-полупроводник
§30. Энергетический спектр тонкопленочной гетероструктуры
§31. Локальная плотность состояний в модельном
варизонном полупроводнике
Глава V1. ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР СВЕРХРЕШЕТКИ
§32. Энергетический спектр модельной периодической
сверхрешетки
§33. Энергетические уровни дефектов в модельной
сверхрешетке
§34. Энергетический спектр сверхрешетки из гетеропереходов

Рис. 2. Зависимость положения уровня дефекта в запрещенной зоне от параметра центра локализации потенциала дефекта в пределах постоянной решетки.
а) при Ч> 0;
б) при V, < о.