Исследование физических процессов в гетероструктурах на основе нитрида галлия с квантовыми ямами

• Автор: Солонин, Александр Павлович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Ульяновск
• Количество страниц: 121 с. : ил.

Список условных обозначений
Глава 1. Г етероструктуры с квантовой ямой на основе (їяА
1.1. Полупроводниковые гетероструктуры
1.2. Кристалл с ОКЯ
1.2 Кристалл с МКЯ
1.4. Газо-фазная эпитаксия при низком давлении из металлорганических соединений
1.5. Ширина запрещенной зоны вЫСаИ/СаЛ
1.6. Спектры голубых СД
1.7. Волып-амперные характеристики голубых СД с ОКЯ
1.8. Волып-амперные характеристики голубых СД с МКЯ
1.9. Волып-фарадные характеристики голубых СД
1.10. Туннельная излучателъная рекомбинация
1.11. Модель туннельного тока
1.12. Квантовый выход излучения светодиодов
с квантовыми ямами
1.13. Пути улучшения электролюминесцеитиых характеристик
СД на основе ІпСаЛ/ОаЛ
1.14. Деградация нитрид галлиевых светодиодов
1.15. Электрофизические характеристики голубых СД ІпСкіМ/СаН-светодиодов при высокой плотности тока
1.16. Параметры глубоких уровней (ГУ) в кристаллах АЮаШпСММЗаЫ
1.17. Гетероструктуры с туннельно-связанными квантовыми ямами
Выводы по главе

Глава 2. Электрические характеристики голубых светодиодов
2.1. Образцы для исследований
2.2. Волът-амперные характеристики и СУ-характеристики голубых СД
2.3. Механизмы токопереноса в СД
2.4. Исследование прыжковой проводимости
2.5. Расчёт энергии активации
2.6. Определение концентрации доноров - Ыа
2.7. Исследования ВАХ при обратных напряжениях смещения
Выводы по главе
Глава 3. Люминесцентные характеристики голубых светодиодов
3.1. Электролюминесцентные характеристики СД
3.2. Низкотемпературные спектральные исследования
3.3. Заполнение энергетических уровней в трехуровневой модели
3.4. Коэффициент полезного действия (КПД) СД
Выводы по главе
Глава 4. Исследование рекомбинационных центров в голубых СД
4.1. Термостимулированная ёмкость (ТСЕ)
4.2. Нестационарная спектроскопия глубоких уровней - НСГУ (ОТТБ)
4.3. Концентрация глубоких уровней в структуре ІпСаНЮаН и вероятность туннелирования носителей заряда
4.4. Рекомбинационная спектроскопия глубоких уровней. Туннельная рекомбинация
4.5. Дифференциальные показатели наклона ВАХ - р
Выводы по главе
Глава 5 Влияние у-облучения на электро-физические параметры голубых СД
5.1. Изменение ВАХ голубых СД после облучения
5.2. Трансформация концентрационного профиля мелкой примеси в СД и анализ СУ-характеристик голубых СД после облучения у-излучением
5.3. Влияние у-облучения на ГУ в структурах АЮаКТпСаП/СаМ с квантовыми ямами
5.4. Анализ изменения формы спектра электролюминесценции облученного и необлученного СД
5.5. Зависимость яркости и КПД голубых СД
в зависимости от дозы облучния
Выводы по главе
Заключение
Литература

Средняя длина прыжка (рис. 32) определяется по формуле (19)
К(Т)=3 / 8 • а(Т0 / 7)1/4 (19)
Средняя длина прыжка (Я) превышает во много раз расстояние между центрами за счет сильных внутренних электрических полей. С увеличением напряжения в НТ области 11(11) незначительно растет до 11=1.3 В, а затем падает, что связано с резким ростом вфр). В ВТ области К.(Ц) постепенно падает с ростом II, что обусловлено плавным ростом дз(ц) в ВТ области (рис. 31).
И(Т)
т,к
Рис. 32. Зависимость средней длины прыжка от температуры и напряжения
Увеличение плотности состояний приводит к уменьшению расстояния между соседними локализованными состояниями, т.е. к уменьшению длины прыжка и к уменьшению энергии активации процесса токопереноса. К = 1Щ) при и>1.8 В выходит на плато с осцилляциями в низкотемпературном интервале, которые соответствуют осцилляциям на плотности состояний в(|0-