Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе квантоворазмерных слоев InGaN, InAlN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN
- Автор:
Усов, Сергей Олегович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
215
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе квантоворазмерных слоев InGaN, InAlN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN», автор — Усов, Сергей Олегович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2016 году. Объем работы: 215. Внутренний код товара: 01008679655. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| К теории электронных процессов в гомо- и гетероструктурах как быстродействующих пороговых фотоприемниках с внутренним усилением | Курочкин, Николай Евгеньевич | 1998 |
| Брэгговское отражение поверхостных акустических волн Рэлея от ограниченной периодической системы неровностей на поверхности упругого тела | Алякна, Юстинас Юстинович | 1984 |
| Особенности дефектной структуры полупроводниковых материалов, связанные с упругой анизотропией | Подрезов, Анатолий Аркадьевич | 1983 |