Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе квантоворазмерных слоев InGaN, InAlN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN
- Автор:
Усов, Сергей Олегович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
215
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Создание и исследование локализованных одномерных и двумерных наноструктур для систем диагностики | Мухин, Иван Сергеевич | 2012 |
| Емкостные и транспортные свойства квазидвумерных электронных слоев в субмикронных полевых транзисторах современной микроэлектроники | Тимофеев, Максим Владимирович | 2000 |
| Энергетическая и спиновая динамика носителей в полупроводниковых квантовых точках | Игнатьев, Иван Владимирович | 2008 |