Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе квантоворазмерных слоев InGaN, InAlN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN
- Автор:
Усов, Сергей Олегович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
215
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Взаимодействие экситонов и носителей заряда в электрическом поле поверхностной акустической волны в GaAs/AlAs сверхрешетках второго рода | Гуляев, Дмитрий Владимирович | 2013 |
| Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN | Александров, Иван Анатольевич | 2015 |
| Электронно-колебательные переходы с глубоких примесных центров в электрических полях контактов металл - GaAs | Жуков, Андрей Викторович | 1999 |