Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе квантоворазмерных слоев InGaN, InAlN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN
- Автор:
Усов, Сергей Олегович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
215
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Развитие физической модели оптически управляемого переключателя на основе тонкопленочной структуры Ge2Sb2Te5 | Толкач, Никита Михайлович | 2019 |
| Оптические свойства гетероинтерфейсов типа II в теории сильной связи | Нестоклон, Михаил Олегович | 2006 |
| Исследование электрофизических свойств фоторезисторов на основе PbS | Комиссаров, Андрей Леонидович | 2011 |