Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
- Автор:
Здоровейщев, Антон Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
123 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Особенности трансформации наноалмазов при отжиге | Сиклицкая, Александра Вадимовна | 2014 |
| Низкотемпературная туннельная спектроскопия и сканирующая туннельная микроскопия халькогенидов свинца | Рыков, Сергей Александрович | 1999 |
| Особенности формирования активной области InGaN/(In,Al)GaN для светоизлучающих приборов | Сизов, Виктор Сергеевич | 2010 |