Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
- Автор:
Здоровейщев, Антон Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
123 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Асимметричные гетероструктуры раздельного ограничения и мощные лазеры на их основе (λ=1.6-1.85 мкм | Лютецкий, Андрей Владимирович | 2009 |
| Газочувствительные полупроводниковые нанокомпозиты на основе диоксида олова, сформированные методами золь-гель технологии | Максимов, Александр Иванович | 2005 |
| Создание и исследование спонтанных источников света для средней ИК-области спектра на основе узкозонных полупроводников А3В5 | Калинина, Карина Вадимовна | 2012 |