Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
- Автор:
Здоровейщев, Антон Владимирович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Нижний Новгород
- Количество страниц:
123 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией», автор — Здоровейщев, Антон Владимирович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Нижний Новгород в 2006 году. Объем работы: 123 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003302177. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии и изоляторе в области сверхвысоких частот | Курганская, Любовь Викторовна | 2009 |
| Особенности магнитной восприимчивости чистых и легированных узкощелевых полупроводников Pb1-x Snx Te, PbSe | Бродовой, Александр Владимирович | 1984 |
| Электрофизические характеристики и структурно-фазовый состав наноразмерных структур в системе Ga2Se3/GaAs | Стародубцев, Александр Александрович | 2006 |