Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией

• Автор: Здоровейщев, Антон Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Нижний Новгород
• Количество страниц: 123 с. : ил.

Список основных сокращений

Глава 1. МОРФОЛОГИЯ И ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ СПЕКТРЫ

ГЕТЕРОНАНОСТРУКТУР С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ

InAs/GaAs (Обзор литературы)

1.1. Получение КРС с квантовыми точками In(Ga)As/GaAs

1.2. Влияние некоторых условий ГФЭ МОС на морфологию КТ

1.3. Влияние на морфологию массива КТ его заращивания покровным слоем

1.4. Влияние толщины покровного слоя GaAs на энергетический спектр КТ

1.5. Влияние толщины и состава двойного покровного слоя GaAs/InGaAs на энергетический спектр КТ

1.6. Морфология и фотоэлектронные спектры КРС с КТ InAs/GaAs,

выращенных ГФЭ МОС АДВ

Глава 2. ВЛИЯНИЕ НЕКОТОРЫХ УСЛОВИЙ ВЫРАЩИВАНИЯ СЛОЕВ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК InAs/GaAs НА ИХ МОРФОЛОГИЮ И ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА
2.1. Методика эксперимента
2.1.1. Исследованные структуры. Методика выращивания
2.1.2. Диагностика энергетического спектра КРС
2.1.3. Атомно-силовая микроскопия КРС
2.2. Влияние легирования слоев КТ висмутом в процессе роста на морфологию массива КТ
2.2.1. Нелегированные структуры
2.2.2. Структуры, легированные висмутом
2.2.3. О связи фотоэлектронных спектров с морфологией слоев КТ
2.3. Влияние заращивания слоя КТ InAs покровным слоем GaAs на
морфологию и фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур
2.4. Влияние паров ССЦ при выращивании слоев КТ InAs/GaAs на их морфологию и фотоэлектронные свойства

Глава 3. РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ ИССЛЕДОВАНИЯ МОРФОЛОГИИ СКРЫТЫХ СЛОЕВ КТ InAs/GaAs МЕТОДОМ ACM В КОМБИНАЦИИ С СЕЛЕКТИВНЫМ ХИМИЧЕСКИМ ТРАВЛЕНИЕМ
3.1. Эволюция морфологии поверхности селективного травления ГКТ.
Визуализация слоя КТ
3.1.1. Особенности морфологии поверхности травления однородного слоя GaAs
3.1.2. Эволюция морфологии поверхности травления ГКТ при
ступенчатом стравливании покровного слоя
3.1.3. Морфология скрытого слоя КТ, выявленного с помощью селективного травления
3.2. Мониторинг in situ процесса селективного травления ГКТ методами фотолюминесцентной и фотоэлектрической спектроскопии
3.2.1. Мониторинг методом спектроскопии ФЛ
3.2.2. Мониторинг методом спектроскопии ФПЭ
Глава 4. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОЙ МОДИФИКАЦИИ ПОКРОВНОГО СЛОЯ GaAs И СЛОЯ КТ InAs/GaAs НА МОРФОЛОГИЮ И ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ СПЕКТРЫ КТ
4.1. Эволюция спектров ФПЭ ГКТ при ступенчатом селективном травлении покровного слоя
4.2. Модификация ПКТ путем селективного травления
4.2.1. Эволюция морфологии ПКТ при травлении
4.2.2. Эволюция фотоэлектронных спектров ПКТ при травлении
4.3. Влияние анодного окисления покровного слоя и ПКТ на энергетический
спектр КТ
Заключение
Список публикаций по теме диссертации
Цитируемая литература
Список основных сокращений
АСМ - атомно-силовая микроскопия;
ВКТ - встроенные в полупроводниковую матрицу КТ;
ГФЭ МОС - газофазная эпитаксия из металлорганических соединений; ГФЭ МОС АДВ - ГФЭ МОС при атмосферном давлении водорода; ГФЭ МОС ПДВ - ГФЭ МОС при пониженном давлении водорода;
ГКТ - гетероструктура с КТ;
КРС - квантово-размерная структура;
КТ (()0) - квантовые точки;
КЯ (С)У) - квантовая яма;
СС (¥Ь) - смачивающий слой;
МЛЭ - молекулярно-лучевая эпитаксия;
ПКТ - выращенные на поверхности КТ (без покровного слоя);
ФЛ - фотолюминесценция;
ФПЭ - фотоэдс на контакте полупроводник / жидкий электролит.

распределения: кс « 5 нм, Д. « 40 нм, стА « 1.4 нм и сг0 « 6 нм, отделенный пустым интервалом от другого массива более крупных нанокластеров.
В. 21 пт ООО пт
1000
Рис.2.9. АСМ изображения и характерные профили поверхности ГКТ, легированных Ві, выращенных без покровного слоя ваАя при разных областях сканирования: а) 10x10 мкм; б) 1x1 мкм.
С нанокластеров высотой * 20 нм и размером основания « 140 нм начинается массив более крупных, несомненно, релаксированных нанокластеров, поверхностная концентрация которых спадает с увеличением размеров нанокластеров по экспоненциальному закону (2.2) с й0 * 45 нм и Д « 160 нм.