Исследование механизмов рекомбинации в CdxHg1-xTe

• Автор: Баженов, Николай Леонидович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 166 c. : ил

ГЛАВА I. Обзор литературы

§ 1.1. Электрические и гальваномагнитные

(0.2<"х<^0.3)

§ 1.2. Спектры фоточувствительности

§ 1.3. Исследование механизмов рекомбинации неравновесных носителей заряда в

§ І.З.І* Межзонная рекомбинация

§ 1.3.2* Рекомбинация через локальные центры •

ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ

Глава II. Методика измерений

§ 2.1. Общая характеристика исследованных

образцов
§ 2.3. Измерение коэффициента Холла и проводимость
§ 2.4. Измерение спектров фотопроводимости • • § 2.5* Измерение релаксации фотопроводимости •
§ 2.6. Измерение спектров шума
§ 2.7. Погрешности измерений
§ 2.8. Связь фотопроводимости с данными
эксперимента
§ 2.8.1. Учет эффекта вытягивания неосновных
свойотва
§ 2.2. Контакты к
носителей заряда

Глава III. Электрические и фотоэлектрические свойства
исследованных кристаллов
§ 3.1. Электрические свойства
§ 3.1.X. Оценка степени компенсации
§ 3.2. Спектры фоточувствительности
§ 3.2.1. Область собственного поглощения
§ 3.2.2. Область примесного поглощения
§ 3.2.3. Изменение параметров образцов во
времени
§ 3.3. Релаксация фотопроводимости
§ 3.3.1. Температурная зависимость времени релаксации ФП в компенсированных
кристаллах
§ 3.3.2. Температурная зависимость времени релаксации ФП в кристаллах с низкой степенью компенсации
ГЛАВА ІУ. Фотопроводимость и рекомбинация неравновесных носителей заряда в Сс!х И#.* /е (0.2^ х< 0.3)
§ 4.1. Основные уравнения рекомбинационной модели, включющей 2 рекомбинационных уровня
§ 4.2. Излучательная рекомбинация
§ 4.3. Межзонная оже-рекомбинация
§ 4.4. Время релаксации в случае межзонной
рекомбинации
§ 4.5. Время релаксации при рекомбинации
через локальные центры

§ 4.5.1. Случай кристаллов я-типа • • • • •
§ 4.5.2. Случай кристаллов р-типа
§ 4.6. Кинетика неравновесных носителей заряда при рекомбинации через локальные центры
§ 4.7. Релаксация #П в случае сильного
уровня возбуждения
§ 4.8. Межзонная рекомбинация £ Cdy^Hgi^Te
§ 4.8.1. Случай кристаллов /7-типа
§ 4.8.2* Случай кристаллов р-типа
§ 4.9. Рекомбинация через локальные центры
§ 4.9.1. Случай кристаллов Ш -типа
§ 4.9.2. Случай кристаллов р-типа
§ 4.10. Совместный анализ температурной зависимости времени релаксации #П и генерационно-р екомбинационн ог о
шума
§ 4.II. Релаксация Щ при низких температурах
§ 4.12. Электрические и фотоэлектрические свойства дырочных кристаллов КРТ вблизи гелиевых температур
§ 4.13. Сравнительный анализ результатов,
полученных различными авторами
§ 4.14. Центры рекомбинации в КРТ
ЗАЮШЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

Таблица
п/п і Наименование параметра предусилителя Обозна- чение Значение параметра
І. Коэффициент усиления напряже-ния, раз К и
2. Нижняя граничная частота, Гц
3. Верхняя граничная частота, Гц Рз 2*107
4. Полоса пропускания (на уровне 3 дБ), Гц аР 2.І07
5. Уровень собственных шумов при
к.з. входе на частоте 100 Гц, В-Гц"1'2 и ил 2 *Ю“9
б* То же на частоте 10 кГц, в.гц~1/2 ІІ шг
7* Эквивалентное шумовое сопротивление на частоте 10 кГц,
Ом Ншэ •
8. Входное сопротивление на час- Я вх
тоте 300 кГц, Ом б*Ю3
9. Выходное сопротивление, Ом Я вых
10. Неравномерность частотной характеристики, % менее