Неравновесные электронные процессы в транзисторных структурах с распределенным p +-n-переходом
- Автор:
Ильченко, Геннадий Петрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Краснодар
- Количество страниц:
145 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптические свойства полупроводниковых структур с неоднородным распределением электронной плотности | Маслов, Александр Юрьевич | 2002 |
| Оптические и фотогальванические эффекты в объемных полупроводниках и двумерных структурах | Шалыгин, Вадим Александрович | 2013 |
| Влияние преципитации и изоэлектронной ионной имплантации на дефектообразование в монокристаллическом кремнии | Джабраилов Тайяр Акбер оглы | 2001 |