Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs,O)
- Автор:
Андреев, Вячеслав Эдуардович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
106 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs,O)», автор — Андреев, Вячеслав Эдуардович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 2005 году. Объем работы: 106 с. : ил.. Внутренний код товара: 01002832100. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние состава и толщин слоев на электрофизические свойства квантово-размерных структур на основе ZnCdS/ZnSSe, ZnSSe/ZnMgSSe | Милованова, Оксана Александровна | 2010 |
| Колебательные спектры и диэлектрические свойства сегнетоэлектрических полупроводников типа А3В3С62 | Гусейнов, Самир Саиб Оглы | 1990 |
| Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе | Борисенко, Сергей Иванович | 2004 |