Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs,O)
- Автор:
Андреев, Вячеслав Эдуардович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2005
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
106 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Спектры краевой фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaAs, InGaAs, InGaAsP в условиях флуктуаций легирования и состава | Карачевцева, Мария Виссарионовна | 2000 |
| Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом | Камаев, Геннадий Николаевич | 1998 |
| Спектроскопия экситонов в гетероструктурах с квантовыми ямами в магнитном поле | Григорьев, Филипп Сергеевич | 2016 |