Исследование электрофизических и оптических характеристик кремниевых МОП структур с туннельно-тонким диэлектриком
- Автор:
Векслер, Михаил Исаакович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
230 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Емкостная спектроскопия дефектов в гетероструктурах для многопереходных солнечных элементов со слоями разбавленных нитридов AIIIBV-N | Баранов, Артем Игоревич | 2019 |
| Двухэлектронные примесные центры с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидных структурно-разупорядоченных полупроводниках | Кастро Арата Рене Алехандро | 2006 |
| Сверхбыстрые процессы в плотной, горячей электронно-дырочной плазме GaAs, взаимодействующей с мощным стимулированным излучением | Кривоносов, Александр Николаевич | 1999 |