Исследование электрофизических и оптических характеристик кремниевых МОП структур с туннельно-тонким диэлектриком
- Автор:
Векслер, Михаил Исаакович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
230 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n | Никитина, Лариса Николаевна | 2011 |
| Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии | Григорьев, Денис Валерьевич | 2005 |
| Особенности трансформации наноалмазов при отжиге | Сиклицкая, Александра Вадимовна | 2014 |