Исследование электрофизических и оптических характеристик кремниевых МОП структур с туннельно-тонким диэлектриком
- Автор:
Векслер, Михаил Исаакович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
230 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Механизм релаксационных процессов в поливинилиденфториде | Темнов, Дмитрий Эдуардович | 1999 |
| Радиационно-стимулированное формирование нитрида кремния в кремнии при последовательном облучении встречными пучками ионов азота и аргона | Сдобняков, Виктор Владимирович | 2006 |
| Особенности развития деградации внешней квантовой эффективности мощных синих светодиодов на основе квантоворазмерных InGaN/GaN структур | Черняков, Антон Евгеньевич | 2014 |