Двухэлектронные примесные центры с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидных структурно-разупорядоченных полупроводниках

• Автор: Кастро Арата Рене Алехандро
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 300 с. : ил.

Глава 1. ПРИМЕСНЫЕ СОСТОЯНИЯ В ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТРУКТУРНО-РАЗУПОРЯДОЧЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ (обзор литературы)

1Л. Введение

1.2 Халькогенидные кристаллические полупроводники

1.2.1. Халькогенидные структурно-разупорядоченные полупроводники со стехиометрическими вакансиями

1.2.2. Узкозонные халькогенидные полупроводники

1.3. Халькогенидные стеклообразные полупроводники

1.3.1. Локальная структура халькогенидных стекол

1.3.2. Энергетический спектр локализованных состояний в ХСП

1.3.3. Примеси в стеклообразных полупроводниках

1.3.4. Фотоструктурные превращения

1.3.5. Распределение релаксаторов в халькогенидных стеклах

1.3.6. Фотодиэлектрический эффект
1.4. Заключение. Постановка задачи исследования
Глава 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Методика измерения релаксационных характеристик тонких
слоев халькогенидных стекол
2.2. Термоактивационные методы исследования поляризационных
процессов в халькогенидных стеклах
2.3. Методика измерения динамических вольтамперных характеристик
2.4. Мессбауэровская спектроскопия
2.5. Измерение физико-химических свойств
2.6. Синтез образцов
Глава 3. ПРИМЕСНЫЕ ДВУХЭЛЕКТРОННЫЕ ЦЕНТРЫ С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ КОРРЕЛЯЦИОННОЙ ЭНЕРГИЕЙ В ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ КРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
3.1 Введение
3.2. U' -центры в твердых раствора сульфидов свинца и олова
3.3. U’-центры в твердых растворах селенидов свинца и олова

3.4. IT -центры в твердых растворах теллуридов свинца и олова
3.5. Примесные центры олова в антиструктурных позициях халькогенидов свинца
3.6. U' -центры в твердых растворах сульфидов свинца и германия
3.7. U’-центры в твердых растворах селенидов свинца и германия
3.8. LT -центры в твердых растворах Ag|.ySni+ySe2 и сверхпроводимость
3.9. Одноэлектронные примесные центры европия в PbS
3.10. Заключение
Глава 4. ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
4.1. Введение
4.2. Изотермическая релаксация токов как метод исследования
распределения релаксаторов в ХСП
4.3. Релаксационные темновые токи в стеклах системы As-Se
4.4. Релаксационные процессы в пленках As2Se3, полученных разными методами
4.5. Термоактивационная спектроскопия локализованных состояний в стеклах системы Ge-Pb-S
4.6. Попытка идентификации ГГ -центров в стеклах As2Se3 и AsSel
4.7. Заключение
Глава 5. ПРИМЕСНЫЕ ДВУХЭЛЕКТРОННЫЕ ЦЕНТРЫ С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ КОРРЕЛЯЦИОННОЙ ЭНЕРГИЕЙ В ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
5.1. Введение
5.2. ГГ -центры в стеклообразных сплавах халькогенидов свинца и
германия
5.3. Влияние метода легирования на состояние примесных атомов
в стеклообразном As2S3
5.4. U' -центры в стеклообразных и кристаллических сплавах
теллуридов галлия и индия
5.5. Кластерная структура модифицированного стекла As2Se3
5.6. Поляризационные свойства модифицированных стекол As2Se3
5.7. ГГ -центры в стеклообразных сплавах на основе селенидов
германия, олова и мышьяка

5.8. Заключение
Глава 6. ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ ПРОЦЕССЫ В ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ
6.1. Введение
6.2. Фотоэлектрические и релаксационные характеристики фото
чувствительных слоев на основе халькогенидных стекол
6.3. Частотная зависимость ФДЭ в слоях As2Se3. Определение
микропараметров полупроводниковой стеклообразной систе

6.4. Фотоиндуцированное изменение релаксационных характеристик электрофотографической системы As40S30Se30
6.5. Фотоиндуцированные изменения оптических и контактных
свойств халькогенидных стекол
6.6. Влияние фотоструктурных превращений на диэлектрические
свойства системы Me- As4oS3oSe3o
6.7. Фотоиндуцированное изменение скорости растворения стекол
As2Se3
6.8. Природа структурных перестроений стекол Gei.x.ySnyTex
6.9. Заключение
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
Список работ, опубликованных по теме диссертации

поле. Данное отличие существенно повышает разрешающую
способность метода ТСД, по сравнению с током ТСП. В методе ТСД ФЭС в отличие от ТСД образец поляризуется, как полем, так и светом.
Сущность метода ТСП заключалась в неравновесном заполнении состояний в запрещенной зоне фотоносителями, при предельно низких температурах и последующем нагреве образца, вызывающем термализацию этих носителей, с приложенным постоянным электрическим полем. Ток разрядки, в данном случае, проявляется на фоне температурной зависимости темновой проводимости.
Блок-схема экспериментальной установки представлена на рис. 2.3. Она обеспечила проведение исследований в температурном диапазоне 150-400 К, а также возможность линейного нагрева образца со скоростью ~ 0.08 град/сек, поддерживаемой с точностью < 5 %. В установке было предусмотрено освещение образца, как интегральным, так и монохроматическим светом.
Образец закреплялся на держателе образца криостата, который затем откачивался до вакуума 10'6 - 10‘8 Па. Охлаждение образца
осуществлялось путем заливки жидкого азота в полость держателя образца. Используемый в работе криостат позволял охлаждать образец до 170 К. Нагрев образца производился с помощью печки, вмонтированной в держатель образца, на которую подавалось напряжение от источника 7. Предварительно был определен режим изменения напряжения источника питания 7, с целью возможности обеспечения линейного во времени нагрева. Максимальная температура нагрева составляла 360 К. Температура образца измерялась термопарой, сигнал с которой заводился на вход “У” самописца 3.