Исследование пробоя щелочно-галоидных кристаллов импульсами лазерного излучения лямбда=10,6 МКМ

• Автор: Крутякова, Валентина Павловна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 175 c. : ил

ОГЛАВДЕНИЕ

ГЛАВА I.СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О ПРИРОДЕ ОПТИЧЕСКОГО
ПРОБОЯ В ОБЪЕМЕ ТВЕРДЫХ ПРОЗРАЧНЫХ ДИЭЛЕКТРИКОВ
(ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ)
ГЛАВА 2.МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1.Установка для исследования рассеяния, свечения и структуры очагов разрушения при воздействии на щелочно-галоидные кристаллы импульсов лазерного излучения -А *=Ю,6мкм
2.1.1.Методика измерения рассеяния
2.1.2.Методика исследования вспышек свечения
2.1.3.Методика исследования структуры очагов разрушения
2.2.Установка для измерения коэффициентов поглощения щелочно-галоидных кристаллов в области 10,6мкм калориметрическим методом
2.3.Измерение фотолюминесценции щелочно-галоидных кристаллов
2.4.Исследование состава и структуры поглощающих неоднородностей электронномикроскопическим методом
2.5.Установка для исследования триболюминесценции щелочно-галоидных кристаллов
2.6.Оценка концентрации и размеров поглощающих неоднородностей и порогов оптического пробоя
ГЛАВА 3.ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ, СОПРОВОЖДАЮЩИХ ОПТИЧЕСКИЙ
ПРОБОЙ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛОВ ИМПУЛЬСАМИ ЛА-

ЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ А =10,6 МКМ
3.1.Сопоставление оптических характеристик щелочно-галоидных кристаллов с порогами оптического пробоя в области Юмкм
3.1.1.Поглощение в области Ю.бмкм
3.1.2.Фотолюминесценци я
3.1.3.Пороги пробоя и концентрация поглощающих неоднородностей
3.2.Влияние центров окраски на оптические свойства и пороги пробоя щелочно-галоидных кристаллов
в области 10,6мкм
3.3.Исследование структуры очагов разрушения и кинетики свечения щелочно-галоидных кристаллов при воздействии импульсов лазерного излучения
А *=Ю,6мкм
3.4.Сопоставление кинетики роста рассеяния и интенсивности свечения в щелочно-галоидных кристаллах при воздействии импульсов лазерного излучения А =10,6мкм
3.5.Исследование скорости роста очагов микроразрушений в щелочно-галоидных кристаллах при воздействии импульсов лазерного излучения А =10,6мкм
Выводы к главе
ГЛА ЗА 4.ИССЛЕДОВАНИЕ ПРИРОДЫ И СОСТАВА ПОГЛОЩАЮЩИХ НЕОДНОРОДНОСТЕЙ В ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ
4.1.Исследование структуры и состава поглощающих неоднородностей в щелочно-галоидных кристал-

лах электронномикроскопическим методом
4.2.Анализ спектральных зависимостей вспышек свечения в объеме щелочно-галоидных кристаллов при воздействии импульсов лазерного излучения
А *=10,6мкм
Выводы к главе
ГЛАВА 5.ИССЛЕДОВАНИЕ ТРИБОЛШИНЕСЦЕНЦИИ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ
КРИСТАЛЛОВ
5.1.Исследование спектра триболюминесценции
На Се
5.2.Кинетика вспышек триболюминесценции в различных областях спектра
5.3.Локализация свечения различного спектрального состава при триболюминесценции
Выводы к главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ.Метод оценки концентрации поглощающих неоднородностей и порогов оптического пробоя в объеме
прозрачного диэлектрика
ЛИТЕРАТУРА

Недостатками перечисленных методов являются их сложность и трудоемкость. Следует отметить также, что ни один из них в области 10 мкм не применялся.
В ряде работ проводились попытки связать с величиной порога пробоя некоторые оптические характеристики материала. В /80,81/ приведены результаты исследований, поставленных с целью выяснения; < корреляции порогов оптического пробоя импульсами СО2 лазера в средах, прозрачных в средней Ж области спектра, и оптических характеристик, измеренных в видимой и ближней ИК областях. В /80/ наблюдалась корреляция порогов пробоя в объеме КРС-6, цропускания в области 1мкм и рассеяния на Л =0,6#мкм. Наличие связи между значениями порогов пробоя и коэффициентов светорассеяния для двух групп кристаллов МсСв отмечалось в /81/. В /82/ показано, что порог пробоя стекла в наносекундном диапазоне длительностей импульсов неодимового лазера не зависит от величины коэффициента поглощения, определяемой концентрацией примеси Ре 2*. По мнению авторов работы это связано с однородностью распределения Рег препятствующей образованию ПН. В /83/ обращалось внимание на противоречивые данные: с одной стороны, в кристаллах с высокими уровнями рассеяния пороги пробоя были ниже, чем в слабо рассеивающих, а с другой стороны - области с повышенной концентрацией рассеивающих центров, например, на границах блоков, не совпадали с областями повышенной концентрации ПН.
Таким образом, видно, что в настоящее время простые и надежные методы прогнозирования порогов оптического пробоя в объеме материала отсутствуют. В первую очередь это относится к среднему ИК диапазону, поэтому при исследовании оптического пробоя в этой области представляют интерес любые сведения о свойствах кристаллов, на основании которых можно будет судить о величине порога пробоя.