Исследование влияния состояния границы раздела на электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода ZnTe-CdSe

• Автор: Леондарь, Владимир Васильевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Кишинев
• Количество страниц: 241 c. : ил

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРНЫХ ДАННЫХ ПО СВОЙСТВАМ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ йпТе - СаБе
1.1. Основные механизмы переноса заряда через гетеропереходы
1.2. Получение и электрические свойства гетеропереходов 2,пТе - Cd.Se
1.3. Электрон-волътаический эффект в р-п гомо- и гетеропереходах
1.4. Заключение по обзору и постановка задачи
ГЛАВА 2. ПОЛУЧЕНИЕ СЛОЕВ саБе И гпТе. СТРУКТУРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ,.';
2.1. Получение пленок саБе методом открытого вакуумного напыления
2.1.1. Получение пленок саБе методом открытого испарения на неориентирующие подложки
2.1.2. Получение пленок гпТе методом открытого вакуумного напыления на неориентирующие подложки
2.1.3. Получение слоев саБе методом термического напыления на ориентирующие подложки
2.2. Получение слоев Cd.Se на ориентирующих подложках эпитаксией из паровой фазы
2.2.1. Осаждение слоев саБе на слюде и их структура
2.2.2. Осаждение слоев саБе на кристаллах гпТе и их структура
2.3. Получение слоев саБе эпитаксиальным осаждением из газовой фазы в потоке водорода
2.4. Выводы по второй главе
ГЛАВА 3. ИЗГОТОВЛЕНИЕ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ йпТе - сазе И ИХ ЭЛЕКТРОННО-ЗОНДОВЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
3.1. Изготовление гетеропереходов гпТе - саБе
3.2. Электронно-зондовые исследования гетеропереходов гпТе - саБе
3.3. Выводы по третьей главе
СТ£.

ГЛАВА 4. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ йпТе
- СаБе, ПОЛУЧЕННЫХ РАЗЛИЧНЫМИ МЕТОДАМИ/.'
4.1. Вольтамперные характеристики гетеропереходов гпТе - саБе
4.1.1. Вольтамперные характеристики гетеропереходов гпТе - саБе типа кристалл-слой, полученных осаждением слоя саБе методом открытого испарения в вакууме
4.1.2. Вольтамперные характеристики гетеропереходов гпТе -саБе типа слой-слой, полученных осаждением методом открытого вакуумного напыления
4.1.3. Вольтамперные характеристики гетеропереходов
гпТе - саБе , полученных осаждением слоя саБе из паровой фазы
4.1.4. Вольтамперные характеристики гетеропереходов
гпТе - саБе , полученных осаждением СЛОЯ СаБе из газовой фазы в потоке водорода
4.2. Вольтфарадные характеристики гетеропереходов
ZnTe - саБе
4.3. Выводы по четвертой главе
ГЛАВА 5. ФОТОВОЛЬ ТАИЧЕСКИЙ И ЭЛЕКТРОН-ВОЛЬТАИЧЕСКИЙ ЭФФЕКТЫ В ГЕТЕРОПЕРЕХОДАХ гпТе - саБе
5.1. Методика измерения свойств гетеропереходов 2пТе_ -саБе при действии оптического и электронного облучений
5.2. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов гпТе-
- саБе
5.2.1. Гетеропереходы гпТе - саБе, полученные открытым вакуумным напылением
5.2.2. Гетеропереходы йпТе - саБе, полученные из паровой фазы
5.2.3. Гетеропереходы БпТе - СПБе, полученные из газо-: вой фазы в потоке водорода
5.3. Определение диффузионной дайны неосновных носителей заряда в гетероструктурах 2пТе _ саБе

118 128

160 162 162

5.3.1. Измерение ъ в слоях Cd.Se методами, не использующими р-п переход
5.3.2. Измерение ь в материалах компонент ГП методом, использующим эффект разделения неосновных носителей на р-п переходе
5.3.3. Влияние переизлучения на значение .длины диффузии неосновных носителей в гетеропереходах гиТе-сйБе
5.4. Электрон-вольтаический эффект в гетеропереходах
ЪШе - СйБе
5.5. Выводы по пятой главе
основные вывода
ЛИТЕРАТУРА
ПРИЛОЖЕНИЕ
Электронограммы от слоя сйБе , осажденного на кристаллах сате при различных температурах подложки, °С:
•а) - 160; б) - 220; в) - 300; г) - 360.