Применение модели антипересекающихся зон в случае высокого легирования кислородом CdS
- Автор:
Канахин, Алексей Алексеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2015
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
149 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Оптические и электрофизические свойства объемных гетеропереходов на основе фуллерена и органических либо неорганических доноров | Зиминов, Виктор Михайлович | 2014 |
| Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs | Шарирзаев, Тимур Сезгирович | 1998 |
| Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии | Григорьев, Денис Валерьевич | 2005 |