Квантовые точки как активная среда оптоэлектронных приборов

• Автор: Максимов, Михаил Викторович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2009
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 284 с. : ил.

Оглавление
Оглавление
Введение
I 1 ! I
Глава 1. Методы управления энергетическим спектром носителей заряда
в квантовых точках
1.1. Влияние заращивающих слоев А1Ав и 1пА1А8: оптические и
структурные свойства
1.2. Неравновесный характер распределения носителей в квантовых точках 1пАз при комнатной температуре
1.3. Исследование возможности длинноволнового сдвига максимума фотолюминесценции квантовых точек 1пАз/1пА1Аз
1.3.1.Влияние состава заращивающего слоя 1пА1Ав на длину волны излучения квантовых точек ЬгАв/ЬШАв
1.3.2. Влияние количества осажденного 1пАз на длину волны излучения квантовых точек МАвДпАЫв
1.4. Влияние модулированного легирования на оптические свойства квантовых точек ЬтАзАЗаАв
Глава 2. Особенности безызлучательной рекомбинации и латерального транспорта носителей в струкгурах с квантовыми точками
2.1. Влияние центров безызлучательной рекомбинации на эффективность фотолюминесценции структур с квантовыми точками
2.1.1. Метод уменьшения плотности дефектов в процессе роста
2.1.2. Теоретическое моделирование фотолюминесценции структур с квантовыми точками

2.2. Экспериментальные и теоретические исследования латерального транспорта носителей в мезах малого размера (0.2-КЗ мкм) с квантовыми точками
2.2.1. Моделирование фотолюминесценциимез с квантовыми точками
2.2.2. Экспериментальные исследования ФЛ из мез малого размера с КТ и ! ' I
анализ полученных результатов
Глава 3. Пороговые, температурные и спектральные характеристики псевдоморфных лазеров на основе квантовых точек ІпАБ/ІпОаАв выращенных на подложках СаАв
3.1. Зависимости основных характеристик лазеров на КТ от длины
резонатора
3.2 Теоретическое моделирование усиления и пороговых характеристик лазеров на квантовых точках
3.3. Низкопороговые лазеры на квантовых точках
3.4. Температурные характеристики лазеров на квантовых точках, излучающих в диапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм
3.5 Особенности влияния р-легирования активной области на температурную стабильность пороговой плотности тока лазеров на ІпАвЛЗаАз квантовых точках
3.6 Инжекционные лазеры на квантовых точках с высоким оптическим усилением и длиной волны излучения более 1300 нм
Глава.4. Оптические свойства микродисков и поверхностно-излучающих лазеров на основе вертикального микрорезонатора с активной областью на основе ІпАв/ІпСаАв квантовых точек
4.1. Аналитическая модель полупроводникового микродиска
4.2. Лазерная генерация в микродисках с квантовыми точками в качестве активной области

4.2.1 Микродисковые лазеры на основе субмонослойных квантовых точек ЫваАв
4.2.2 Микродисковые лазеры на основе квантовых точек ТпЛя/ІпОаЛв
4.3. Поверхностно-излучающие лазеры на основе вертикального микрорезонатора _ с активной областью на основе квантовых точек ІпАз/ІпОаАз
Глава 5. Метаморфные квантовые точки - получение излучения в диапазоне 1.55 мкм в структурах на подложках ЄаАв
5.1. Метод уменьшения плотности дефектов
5.2. Влияние количества осажденного ІпАв: оптические и структурные свойства
5.3. Влияние состава матрицы и заращивающего слоя: оптические и структурные свойства
5.4. Энергетическая диаграмма носителей заряда в квантовых точках ІпАв, сформированных в метаморфной матрице
5.5. Инжекционные лазеры с широким полосковым контактом на основе
метаморфньтх структур
5.6 Инжекционные лазеры с узким полосковым контактом на основе метаморфных структур
Заключение
Список публикаций, включенных в диссертацию:
Список цитированной литературы:

50 100 150
Температура, К и '

30НБ4

Ж**"
50 100 150 200 250 300 350
Температура, К
Рис.9. Температурные зависимости полуширины пика ФЛ и интегральной интенсивности ФЛ (на вставке) структур Б1-Б4 в диапазоне температур 7500 К при плотности оптической накачки 10 Вт/см2.