Электрофизические свойства полупроводниковых гетероструктур In2Te3/InAs и In2xGa2(1-x)Te3/InAs
- Автор:
Михайлюк Екатерина Андреевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
107
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Автоколебания и релаксации фототока в кремнии, легированном селеном | Чистохин, Игорь Борисович | 1998 |
| Влияние состояния ионов и дефектов нестехиометрии на электромагнитные явления в ферримагнитных полупроводниках | Булатов, Марат Фатыхович | 2005 |
| Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge | Блошкин, Алексей Александрович | 2011 |