Электрофизические свойства полупроводниковых гетероструктур In2Te3/InAs и In2xGa2(1-x)Te3/InAs
- Автор:
Михайлюк Екатерина Андреевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
107
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние адсорбционного покрытия поверхности кремниевых нанокристаллов на электронные и оптические свойства их ансамблей | Осминкина, Любовь Андреевна | 2004 |
| Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии, для создания чувствительных элементов бифункциональных датчиков температура-деформация | Сивакова, Ксения Петровна | 2009 |
| Исследование электронных свойств поверхности и внутренних границ раздела эпитаксиальных слоев GaAs методом спектроскопии фотоотражения | Шайблер, Генрих Эрнстович | 2001 |