Электрофизические свойства полупроводниковых гетероструктур In2Te3/InAs и In2xGa2(1-x)Te3/InAs
- Автор:
Михайлюк Екатерина Андреевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
107
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Электрофизические свойства полупроводниковых гетероструктур In2Te3/InAs и In2xGa2(1-x)Te3/InAs», автор — Михайлюк Екатерина Андреевна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Российская Федерация в 2016 году. Объем работы: 107. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Свойства краевых и поверхностных состояний в дираковских материалах | Еналдиев, Владимир Викторович | 2017 |
| Катодолюминесцентные методы исследования лазерных гетероструктур на основе ZnSe | Шахмин, Алексей Александрович | 2011 |
| Частотные свойства магнитомягких ферритов с различной микроструктурой и формой | Бажуков, Константин Юрьевич | 1999 |