Электрофизические свойства полупроводниковых гетероструктур In2Te3/InAs и In2xGa2(1-x)Te3/InAs
- Автор:
Михайлюк Екатерина Андреевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
107
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние глубоких центров на физические процессы в кремниевых барьерных структурах | Холомина, Татьяна Андреевна | 1999 |
| Электронно-зондовые исследования слоев GaA3 и структур на их основе | Соболев, Михаил Михайлович | 1984 |
| Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами | Кудряшов, Владимир Евгеньевич | 2001 |