Электрофизические свойства полупроводниковых гетероструктур In2Te3/InAs и In2xGa2(1-x)Te3/InAs
- Автор:
Михайлюк Екатерина Андреевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2016
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
107
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование и исследование полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками | Воробьева, Татьяна Альбертовна | 2002 |
| Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии | Григорьев, Денис Валерьевич | 2005 |
| Получение гетеропереходов теллурид цинка-фосфид индия и исследование их электрофизических свойств | Ребров, Сергей Анатольевич | 1985 |