Гетероструктуры в системе твердых растворов InGaAsP и лазеры на их основе
- Автор:
Тарасов, Илья Сергеевич
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2002
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
387 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Физико-технологические основы легирования узкозонных полупроводниковых соединений CdxHg1-xТе радиационно-термическими воздействиями | Талипов Нияз Хатимович | 2016 |
| Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной | Шамирзаев, Тимур Сезгирович | 2012 |
| Морфология гетерограниц и транспорт дырок в сверхрешетках GaAs/AlAs(311)А | Воробьёв, Александр Борисович | 2001 |