Высокоэффективные излучающие приборы на основе гетероструктур AlGaInN
- Автор:
Смирнова, Ирина Павловна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
153 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Экситонная спектроскопия гетероструктур на основе широкозонных II-VI полупроводников | Платонов, Алексей Владимирович | 1999 |
| Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии | Сорокин, Сергей Валерьевич | 2001 |
| Эмиссия электронов с поверхности полупроводников, стимулированная электрическим полем и гетерогенной химической реакцией | Седов, Александр Викторович | 2005 |