Высокоэффективные излучающие приборы на основе гетероструктур AlGaInN
- Автор:
Смирнова, Ирина Павловна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
153 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Экситоны в низкоразмерных анизотропных структурах и магнитном поле | Яблонский, Александр Леонидович | 1999 |
| Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP(As,N) на подложках Si и GaP | Лазаренко Александра Анатольевна | 2020 |
| Электронный транспорт в Si структурах с малой компенсацией при эффекте поля в примесной зоне и монополярном фотовозбуждении | Рыльков, Владимир Васильевич | 2015 |