Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP(As,N) на подложках Si и GaP
- Автор:
Лазаренко Александра Анатольевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2020
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Экспериментальное исследование и математическое моделирование кинетики образования и разрушения кластеров лития в германии | Ильин, Павел Александрович | 2002 |
| Влияние водорода на электрофизические свойства германия в системе полупроводник-электролит | Родионов, Николай Викторович | 2009 |
| Наноразмерные структуры Si/SiO2 и сенсоры на их основе | Наумова, Ольга Викторовна | 2012 |