Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP(As,N) на подложках Si и GaP
- Автор:
Лазаренко Александра Анатольевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2020
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование границы раздела и приповерхностных слоев полупроводника в системах электролит-полупроводник с помощью емкостных методов | Рудинский, Михаил Эдуардович | 2013 |
| Исследование одноэлектронных и двухэлектронных примесных центров в полупроводниках методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии | Кожанова, Юлия Владимировна | 2004 |
| Квантовые кинетические явления в дырочном газе размерно-квантованной валентной зоны германия | Неверов, Владимир Николаевич | 2013 |