Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP(As,N) на подложках Si и GaP
- Автор:
Лазаренко Александра Анатольевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2020
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP(As,N) на подложках Si и GaP», автор — Лазаренко Александра Анатольевна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Российская Федерация в 2020 году. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние электрического поля на скорость оптических и термических переходов с глубоких уровней в арсениде галлия | Трифонов, Олег Александрович | 2006 |
| Ассоциаты точечных дефектов собственной и примесной природы в кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe | Магомедова, Патимат Мустафаевна | 1998 |
| Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии | Горн, Дмитрий Игоревич | 2012 |