Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP(As,N) на подложках Si и GaP
- Автор:
Лазаренко Александра Анатольевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2020
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Моделирование формирования микро- и наноструктур при распылении материала фокусированным ионным пучком | Румянцев, Александр Владимирович | 2018 |
| Электронный транспорт в наноструктурах с резкими потенциальными границами на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs | Козлов, Дмитрий Андреевич | 2011 |
| Комбинационное рассеяние света в массивах нанообъектов кремния и арсенида галлия | Володин, Владимир Алексеевич | 1999 |