Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP(As,N) на подложках Si и GaP
- Автор:
Лазаренко Александра Анатольевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2020
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Структура и свойства пленок теллура, полученных в квазизамкнутом объеме и с приложением постоянного электрического поля | Келбиханов, Руслан Келбиханович | 2008 |
| Спиновые и фотогальванические эффекты в полупроводниковых гетероструктурах | Тарасенко, Сергей Анатольевич | 2008 |
| Поведение примеси марганца в некоторых полупроводниковых соединениях типа А3В5 | Якубеня, Сергей Михайлович | 1984 |