Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP(As,N) на подложках Si и GaP
- Автор:
Лазаренко Александра Анатольевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2020
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Влияние электрического поля на фотоэлектрические спектры квантово-размерных гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией | Горшков, Алексей Павлович | 2006 |
| Исследование зарядопереноса в структурах металл-анодный окисел металла-полупроводник | Лалэко, Владислав Анатольевич | 1982 |
| Оптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории непересекающихся зон : на примере системы ZnS-ZnSe | Мидерос Мора Даниэль Алехандро | 2008 |