Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP(As,N) на подложках Si и GaP
- Автор:
Лазаренко Александра Анатольевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
кандидатская
- Год защиты:
2020
- Место защиты:
Российская Федерация
- Количество страниц:
Стоимость:
700 р.499 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP(As,N) на подложках Si и GaP», автор — Лазаренко Александра Анатольевна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Российская Федерация в 2020 году. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование фононного спектра дииодида ртути методом комбинационного рассеяния света | Гайслер, Владимир Анатольевич | 1985 |
| Исследование электрических и оптических свойств ZnSe, ионно-легированного In+ и As+ и излучающих структур на его основе | Ластовка, Владимир Викторович | 1983 |
| Прямая и обратная задачи теории кинетических коэффициентов в изотропном приближении | Половинкин, В.Г. | 1984 |