Влияние электрического поля на магнитосопротивление германия и арменида галлия

• Автор: Камара, Мамаду Санусси
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Минск
• Количество страниц: 106 c. : ил

ГЛАВА I. КИНЕТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ГЕРМАНИИ И АРСЕНИДЕ ГАЛЛИЯ
І.І. Магниторезистивный эффект в полупроводниках
1.1.2. Перенос зарядов по примесям
1.2. Влияние геометрических размеров образца на величину маг-нитосопротивления
1.3. Влияние электрического поля на величину магниторезистивного эффекта
1.4. Заключение
Глава II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Установка для измерения эффекта Холла и магнитосопротив-ления
2.1.1. Низкотемпературный криостат
2.1.2. Измерение эффекта Холла и магнитосопротивления
2.2. Методика приготовления образцов
2.2.1. Приготовление образцов германия
2.2.2. Приготовление образцов арсенида галлия
2.3. Заключение
Глава III. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ
ГЕРМАНИЯ * - ТИПА
3.1. Электрические характеристики кристаллов
3.2. Магниторезистивный эффект в германии при зонном и примесном механизмах проводимости
3.3. Влияние электрического поля на магниторезистивный эффект
в германии
3.4. Геометрический эффект в магнитосопротивлении П. - О Є при низких температурах

3.5. Способ измерения магнитного поля
3.6. Заключение
Глава IV. ИЗМЕНЕНИЕ ВЕЛИЧИНЫ И ХАРАКТЕРА МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЯ Л-ОаДэ в ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ
4.1. Электрические характеристики образцов П-Сго-кь
4.1.1. Температурные зависимости коэффициента Холла и проводимости
4.1.2. Вольтамперная характеристика при низких температурах
4.2. Магнитосопротивление эпитаксиальных кристаллов п-Оа-кь
4.2.1. Зонный механизм проводимости
4.2.2. Проводимость по примесям
а) слабо легированные образцы
б) промежуточно легированные образцы
4.3. Влияние электрического поля на величину и характер магниторезистивного эффекта в П-Сго-кь при Т = 4,2 К
4.3.1. Слабо легированные образцы
4.3.2. Промежуточно легированные образцы
4.4. Заключение
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА

Изучение явлений переноса зарядов в полупроводниках позволяет получать сведения о зонной структуре энергетического спектра, механизмах релаксации энергии и импульса носителей заряда, энергетических уровнях нарушений структуры в запрещенной зоне и других характеристиках полупроводниковых материалов. Особый интерес представляет изучение кинетических эффектов при низких температурах и одновременном наложении электрического и магнитного полей. В этом случае легированный кристал можно рассматривать как частный случай неупорядоченной системы. Шизика неупорядоченных систем, сформировавшаяся в основном за последние полтора десятилетия, превратилась в одно из ведущих направлений развития физики конденсированного состояния /1,2/. При этом интерес к изучению явлений переноса в таких системах имеет не только чисто научное значение} богатство и разнообразие свойств, простота получения неупорядоченных систем по сравнению с кристаллами, указывают на широкие перспективы из практического применения.
При низких температурах в легированных полупроводниках в магнитном поле обнаружены ряд интересных эффектов: уменьшение и экспоненциальный рост сопротивления /3,4/. Для описания этих явлений предложены различные теоретические модели, многие из которых в настоящее время находятся в стадии интенсивной экспериментальной проверки.
Исследование явлений переноса заряда в полупроводниках в сильном электрическом поле имеет самостоятельное научное и практическое значение. Эффекты сильного поля либо лежат в основе работы многих твердотельных приборов, либо неизбежно со-

Рис. 3.9. Магнитополевая зависимость МС образцов с N«1 = 8* Ю17 см“3 при разных отношениях длины образца к его ширине, и : I - 10, 2 - 2, 3 - 0,5, 4 - 0,3, 5 - диск Корби-но.