Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si
- Автор:
Макаренко, Владимир Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
160 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронно-ионное взаимодействие и туннельный эффект в кремниевых структурах металл–окисел–полупроводник | Чучева, Галина Викторовна | 2009 |
| Энергетическая и спиновая динамика носителей в полупроводниковых квантовых точках | Игнатьев, Иван Владимирович | 2008 |
| Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами: азот и висмут в GaP | Логинова, Татьяна Николаевна | 1985 |