Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2(P)-Si
- Автор:
Макаренко, Владимир Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2006
- Место защиты:
Воронеж
- Количество страниц:
160 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование термодинамических свойств и закономерностей формирования структуры некристаллических полупроводников | Бодягин, Николай Викторович | 1998 |
| Размерные эффекты и релаксационные явления в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности | Зайцев-Зотов, Сергей Владимирович | 1999 |
| Внутризонные инверсии населенности и поглощение излучения среднего инфракрасного диапазона в квантовых ямах на основе соединений AIIIBV | Зерова, Вера Львовна | 2006 |