Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур : Нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами
- Автор:
Селезнев, Владимир Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
155 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Выращивание полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором, для детекторов ядерного излучения | Терентьев, Александр Иванович | 1998 |
| Гистерезисные и автоволновые явления в полупроводниковом интерферометре Фабри-Перо с термооптической нелинейностью | Григорьянц, Александр Вильевич | 1985 |
| Исследование явлений самоорганизации при эпитаксии гетероструктур | Жаринова, Наталья Николаевна | 2001 |