Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур : Нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами
- Автор:
Селезнев, Владимир Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
155 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Свойства высокотемпературных омических контактов к гетероструктурам 3C-SiC/Si | Колесникова, Анна Алексеевна | 2006 |
| Диагностика полупроводниковых структур методом электрохимического вольт-фарадного профилирования | Фролов, Дмитрий Сергеевич | 2016 |
| Влияние внешних воздействий на динамику дислокаций в кремнии вблизи концентраторов напряжений | Явтушенко, Игорь Олегович | 2008 |