Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур : Нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами
- Автор:
Селезнев, Владимир Александрович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
1999
- Место защиты:
Новосибирск
- Количество страниц:
155 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур : Нанотрубок, спиралей и мембран с туннельными переходами», автор — Селезнев, Владимир Александрович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Новосибирск в 1999 году. Объем работы: 155 с. : ил.. Внутренний код товара: 01000260187. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Вклады поверхностных и объёмных состояний в фотоэмиссии электронов из p+-GaAs(Cs,O) и p-GaN(Cs,O) | Пахневич, Андрей Александрович | 2008 |
| Выращивание, структурные особенности и свойства монокристаллов кремния с заданной двойниковой структурой | Афанасова, Ирина Владимировна | 2003 |
| Неразрушающая диагностика электронных свойств структур на основе SiC и GaAs/AlGaAs | Титков, Илья Евгеньевич | 2001 |