Взаимодействие вакуумного ультрафиолетового излучения с тонкими неорганическими пленками

• Автор: Калитеевская, Наталия Алексеевна
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 133 с. : ил

СОДЕРЖАНИЕ.
Содержание
Введение

Глава 1. Современные проблемы литографии

1.1 Основные понятия литографии

1.1.1 Фотолитография, ее свойства

1.1.2 Фоторезисты. Классификация. Основные характеристики..

1.1.3. Основные технологические факторы в

полупроводниковом производстве

1.2 Успехи фотолитографии

1.2.1. Неоптические методы литографии

1.2.2.Сравнение оптических и неоптических видов литографии.
1.2.3. Оптическая литография
1.2.4. Рентгеновская технология
1.3. Основные области использования ВУФ излучения в полупроводниковой технологии
1.4. Фоторезисты для ВУФ
1.4.1. Применения неорганических резистов
1.5. Источники ВУФ
1.5.1. Эксимерные лазеры
1.5.2. Лазерно-плазменные источники
1.5.3. Лазеры с диодной накачкой
Заключение
Глава2. Методика эксперимента
2.1 Общие принципы работы эксимерных лазеров и их

технические характеристики.
2.1.1. Основы работы эксимерных лазеров
2.1.2. Выходная стабильность
2.1.3. Пространственная неоднородность
2.1.4. Спектральная ширина
2.1.4. Пространственная когерентность
2.2. Описание экспериментальной установки
2.3. Описание технологического блока
Глава 3. Создание периодических структур с характерными размерами, меньшими длины волны актиничного излучения
3.1. Расчет распределения интенсивности на поверхности фоторезиста в условиях контактной литографии
3.2. Получение периодических структур с шириной полосы
0.1 мкм контактной печатью на тонких пленках сульфида мышьяка при использовании импульсного излучения эксимерного лазера
Выводы
Г лава 4. Фотоиндуцированные трансформации, вызванные излучением высокой мощности
4.1 Моделирование фотохимических превращений и
фотопотемнения пленок фоторезистов под действием импульсного вакуумного ультрафиолетового излучения
4.2. Эффект усиления контраста передачи изображения при 93 взаимодействии вакуумного ультрафиолетового излучения с
пленками неорганических фоторезистов
Выводы
Глава 5. Исследование абляции тонких пленок неорганических материалов под действием излучения эксимерного лазера

5.1. Исследование абляции аморфных алмазоподобных пленок
5.2. Исследование абляции пленок оксида индия
5.3 Исследование абляции пленок оксида титана
5.4 Исследование воздействия излучения эксимерного лазера на пленки оксида хрома и твердых растворов сульфида
самария/сульфида иттрия
Выводы
Заключение
Список литературы

ионной литографии с зазором. И детектирование дефектов и точность положения изображения требуют значительных технологических измерительных затрат.
Все из вышеперечисленных видов литографии, признанных в настоящее время наиболее перспективными, имеют те или иные проблемы. Можно выделить основные технологические задачи, требующие первоочередного решения:
1 -оптическая - ВУФ источники, материалы, совмещение;
2 - прямое рисование электронным пучком - производительность;
3 - рентгеновская - совмещение, источник, ФШ;
4 - ионная - контроль за шириной линии, ФШ, яркость источника.
1.2.3. Оптическая литография.
Оптическая литография является самой старой в полупроводниковой литографической промышленности. В ней используются фундаментальные соотношения, обсуждавшиеся в п. 1.1.1.
И уменьшение длины волны, и увеличение числовой апертуры продолжается. Ясно, что наилучшим было бы улучшение разрешения без значительных потерь по глубине фокуса.
Хотя последние 25 лет идут разговоры о бесперспективности дальнейшего развития оптической литографии, но, по-видимому, все же она будет обеспечивать необходимый прогресс вплоть до 2015 года [13], а возможно и далее.
Следует отметить, что ожидается значительный отход от традиционных материалов и процессов. Основные области, нуждающиеся в развитии:
1. Резисты, подходящие для длин волн 193нм и менее (вплоть до Юнм).
2. Многослойные резистивные процессы для обеспечения разрешения и облегчения проблемы глубины фокуса.
3. Тонкие бездефектные слои.