Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n
- Автор:
Никитина, Лариса Николаевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
150 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n», автор — Никитина, Лариса Николаевна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Томск в 2011 году. Объем работы: 150 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004976282. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge | Блошкин, Алексей Александрович | 2011 |
| Резонансы и локализованные состояния в сложных наноструктурах | Журавлёв, Максим Николаевич | 2009 |
| Квазиландауское магнитопоглощение "ридберговских" состояний экситона в полупроводниках | Абдуллаев, Магомед Абдуллаевич | 2006 |