Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n
- Автор:
Никитина, Лариса Николаевна
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2011
- Место защиты:
Томск
- Количество страниц:
150 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n», автор — Никитина, Лариса Николаевна, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Томск в 2011 году. Объем работы: 150 с. : ил.. Внутренний код товара: 01004976282. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Лазер на межподзонных переходах горячих дырок и его применение для исследования полупроводников и наноструктур | Данилов, Сергей Николаевич | 1998 |
| Влияние процессов фазообразования на фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок селенида свинца | Писаревский, Мстислав Сергеевич | 2002 |
| Особенности электронного строения аморфных пленок кремния и карбидов кремния | Курило, Оксана Васильевна | 2005 |