Брэгговское отражение высококонтрастных фотонных кристаллов на основе композитов опал-полупроводник (GaP, GaN, GaPN)
- Автор:
Гаджиев, Гаджи Магомедрасулович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
130 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Брэгговское отражение высококонтрастных фотонных кристаллов на основе композитов опал-полупроводник (GaP, GaN, GaPN)», автор — Гаджиев, Гаджи Магомедрасулович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2007 году. Объем работы: 130 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003377044. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Коллективные эффекты в электрон-дырочной плазме и их влияние на излучательную рекомбинацию в полупроводниковых низкоразмерных лазерных гетероструктурах | Карачинский, Леонид Яковлевич | 2004 |
| Накопление дефектов в облучаемом ионами кремнии при пониженной плотности каскадов смещений | Азаров, Александр Юрьевич | 2004 |
| Кинетика и механизмы формирования нановискеров в системах Si-Au, Ge-Au (моделирование) | Настовьяк, Алла Георгиевна | 2010 |