Брэгговское отражение высококонтрастных фотонных кристаллов на основе композитов опал-полупроводник (GaP, GaN, GaPN)
- Автор:
Гаджиев, Гаджи Магомедрасулович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
130 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Компьютерное моделирование эволюции поверхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка | Филимонов, Сергей Николаевич | 2000 |
| Методы измерения электрических свойств наноструктур с помощью полупроводникового алмазного зонда | Сошников, Александр Игоревич | 2011 |
| Коллективные явления в проводимости квазиодномерных (пайерлсовских) и квазидвумерных сверхпроводящих кристаллов | Латышев, Юрий Ильич | 2000 |