Брэгговское отражение высококонтрастных фотонных кристаллов на основе композитов опал-полупроводник (GaP, GaN, GaPN)
- Автор:
Гаджиев, Гаджи Магомедрасулович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2007
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
130 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Брэгговское отражение высококонтрастных фотонных кристаллов на основе композитов опал-полупроводник (GaP, GaN, GaPN)», автор — Гаджиев, Гаджи Магомедрасулович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2007 году. Объем работы: 130 с. : ил.. Внутренний код товара: 01003377044. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Гетероструктуры на основе халькогенидов европия и свинца | Никольская, Людмила Владимировна | 2006 |
| Локализованные электронные и фононные состояния в полупроводниковых ветвящихся молекулярных структурах | Рындина Татьяна Сергеевна | 2018 |
| Оптические и электрофизические свойства объемных гетеропереходов на основе фуллерена и органических либо неорганических доноров | Зиминов, Виктор Михайлович | 2014 |