Фотохимически активные и неактивные глубокие центры в бинарных (A2B6 , A3 B5 ) и многокомпонентных (A4 B6 , A2A3 B6 ) широкозонных полупроводиках
- Автор:
Эмиров, Юсуф Нурмагомедович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Докторская
- Год защиты:
2001
- Место защиты:
Москва
- Количество страниц:
232 с. : ил
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Фотохимически активные и неактивные глубокие центры в бинарных (A2B6 , A3 B5 ) и многокомпонентных (A4 B6 , A2A3 B6 ) широкозонных полупроводиках», автор — Эмиров, Юсуф Нурмагомедович, относится к типу: докторская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Москва в 2001 году. Объем работы: 232 с. : ил. Внутренний код товара: 01000321766. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Синтез III-N микро- и наноструктур методом МОГФЭ на подложках сапфира и кремния | Рожавская, Мария Михайловна | 2014 |
| Особенности дефектной структуры полупроводниковых материалов, связанные с упругой анизотропией | Подрезов, Анатолий Аркадьевич | 1983 |
| Влияние легирования и длительного освещения на плотность электронных состояний в щели подвижности микрокристаллического и аморфного гидрированного кремния | Хабарова, Ксения Юрьевна | 2006 |