Фотохимически активные и неактивные глубокие центры в бинарных (A2B6 , A3 B5 ) и многокомпонентных (A4 B6 , A2A3 B6 ) широкозонных полупроводиках

• Автор: Эмиров, Юсуф Нурмагомедович
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 232 с. : ил

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ЦЕНТРЫ С ГЛУБОКИМИ УРОВНЯМИ В БИНАРНЫХ И МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЯХ (обзор)
1.1. Классификация центров с глубокими уровнями в полупроводниках
1.2. Методы исследования центров с глубокими уровнями в полупроводниках
1.3. Природа и характеристические параметры центров с глубокими уровнями в полупроводниках
1.3.1. Собственные структурные дефекты и их ассоциаты в соединениях АгВ6
1.3.2 Глубокие центры, обусловленные примесями Agi, Сщи Ащ
в соединениях А2В
1.3.3 Центры с глубокими уровнями в SiC и структурах
на его основе
1.3.4. Центры с глубокими уровнями в тиагалатах CaGaS:Eu
1.4. Механизмы фотохимических реакций дефектов и параметры фотохимически активных центров в полупроводниках А2В6 :
1.4.1. ФХР, связанные с ассоциацией доноров между собой;
1.4.2 ФХР, связанные с ассоциацией и распадом ДАП;
1.4.3. ФХР, связанные с увеличением концентрации доноров из-за
их отхода от дислокационных стоков
Выводы I главы
Глава II. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Характеристики исследованных образцов
2.2. Установки и методики измерений:

2.2.1. индуцированной примесной фотопроводимости (ИПФ) поляризованной ИПФ и оптического гашения фотопроводимости (ОГФ);

2.2.2 термостимулированной проводимости (ТСП) и термостимулированной люминесценции (ТСП) ;

2.2.3. фотолюминесценции;

2.2.4. поляризованной люминесценции.

2.3. Методика проведения фотохимических реакций (ФХР)

Глава III. СТАБИЛЬНЫЕ И ФОТОХИМИЧЕСКИ АКТИВНЫЕ ЦЕНТРЫ ПРИЛИПАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ БЫСТРОГО ТИПА В НЕКОТОРЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ А2В6
3.1. Стабильные центры прилипания электронов (ЦПЭ) в монокристаллах Сс18, обусловленные примесями
элементов I группы:
3.1.1. ЦПЭ в С(1Б <Си>
3.1.2. ЦПЭ в О/А <А%>
3.1.3. ЦПЭ в СШ <Аи>
3.2. Фотостимулированные преобразования ЦПЭ в монокристаллах
Сс18, легированных медью
3.2.1. «Фиолетовый» сдвиг полос ИПФ, обусловленный ассоциацией Си, в распределенные донорные пары
3.2.2.«Красный» сдвиг полос ИПФ, обусловленной фотохимическими реакциями дефектов
3.2.3. Температурный сдвиг полос ИПФ, связанных с ФХР
3.3. Фотостимулированная генерация донорных пар (А§)2 в монокристаллах ZnSe
Выводы III главы

Глава IV. СТАБИЛЬНЫЕ И ФОТОХИМИЧЕСКИ АКТИВНЫЕ
ЦЕНТРЫ ПРИЛИПАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ МЕДЛЕННОГО ТИПА
4.1. Стабильные ЦПЭ медленного типа
4.1.1. Стабильные ЦПЭ медленного типа в монокристаллах CdS
4.1.2. Стабильные ЦПЭ медленного типа в моно- и поликристаллах CaGaS:Ей
4.2. Фотохимически активные ЦПЭ медленного типа
4.2.1. фотоуправляемый сдвиг полос ТСТ в монокристаллах CdS
4.2.2. фотохимически активные ЦПЭ в монокристаллах CdS
4.3. Механизм старения полупроводников, обусловленный изменением температуры их хранения
Выводы IV главы
Глава V. ПОЛЯРИЗАЦИОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ АНИЗОТРОПИИ ФОТОХИМИЧЕСКИ АКТИВНЫХ И СТАБИЛЬНЫХ ЦЕНТРОВ СВЕЧЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ CdS и СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ GaAs
5.1. Симметрия фотохимически активных центров ИК свечения
в CdS
5.2. Анизотропия стабильных центров оранжевого свечения в
монокристаллах CdS, CdS и CdS
5.3. Анизотропия центров свечения, локализованных в области
пространственных искажений структуры на основе GaAs. 165 Выводы V главы

такой люминесценцией не обладали. Это обстоятельство позволило связать эти центры с вакансиями серы (дефект донорного типа). К такому же выводу приводит и изучение влияния электронных бомбардировок [168,169]. Однако Vs донор и не может являться центром излучательной рекомбинации в CdS [73,78,111,130]. Поскольку величина сечения захвата дырок на центры красного свечения характерна для нейтрального центра, a Vs - донор, то естественно предположить, что центрами красной люминесценции являются комплексы, в состав которых входят Vs. В [172] было обнаружено усиление красной полосы люминесценции после введения в CdS небольших добавок меди и серебра, создающих акцепторные центры замещения Aged и Cued , образующие с Vs “излучающие” ДАП. К подобному выводу приводят и результаты [170].
Приведенные данные показывают, что центры красной люминесценции в CdS представляют собой анизотропные по структуре ДАП, в состав которых могут входить как собственные так и примесные дефекты, например Ag и Си. Поэтому представляет интерес исследование этих центров мотодом поляризованной люминесценции.
в). Центры инфракрасной люминесценции в монокристаллах CdS, легированных Си, As и Ли.
Известно, что фоточувствительность CdS обусловлена наличием г-центров медленной рекомбинации [2,3]. С этими центрами связаны полосы ИК-1 излучения, максимумы которых лежат в области и1.17 -г 1.30 эВ [170] и наблюдаются при комнатных и более низких температурах. Исследование параметров г- центров показали [78,173], что они обладают малым сечением захвата электрона (10' 24 м2) и большим сечением захвата дырки (1017 м2). Такая асимметрия сечений характерна для однозарядного акцептора [78].