Моделирование роста полупроводниковых наноструктур A3B5 методами теории нуклеации
- Автор:
Назаренко, Максим Вадимович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
108 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Диссертационная работа «Моделирование роста полупроводниковых наноструктур A3B5 методами теории нуклеации», автор — Назаренко, Максим Вадимович, относится к типу: кандидатская диссертация по специальности 01.04.10. Работа подготовлена в городе Санкт-Петербург в 2012 году. Объем работы: 108 с. : ил.. Внутренний код товара: 01005444964. На странице представлены основные сведения о диссертации, включая название, автора, год, город, тип работы и шифр специальности.
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Фотоэлектрические и рекомбинационные свойства эпитаксиальных структур на основе HgCdTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии | Денисов, Юрий Алексеевич | 1998 |
| Магнитооптика и экситонное поглощение в тонких кристаллах и гетероструктурах на основе арсенида галлия | Лукьянова, Наталья Владимировна | 1999 |
| Термодинамика образования дефектов в полупроводниках с учетом кластеризации в жидкой и газовой фазах | Львов, Павел Евгеньевич | 2001 |