Моделирование роста полупроводниковых наноструктур A3B5 методами теории нуклеации
- Автор:
Назаренко, Максим Вадимович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
108 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости | Мурашова, Алена Владимировна | 2002 |
| Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe:Tl и SnTe:In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена | Черняев, Антон Валентинович | 2005 |
| Брэгговское отражение высококонтрастных фотонных кристаллов на основе композитов опал-полупроводник (GaP, GaN, GaPN) | Гаджиев, Гаджи Магомедрасулович | 2007 |