Моделирование роста полупроводниковых наноструктур A3B5 методами теории нуклеации
- Автор:
Назаренко, Максим Вадимович
- Шифр специальности:
01.04.10
- Научная степень:
Кандидатская
- Год защиты:
2012
- Место защиты:
Санкт-Петербург
- Количество страниц:
108 с. : ил.
Стоимость:
700 р.250 руб.
до окончания действия скидки
00
00
00
00
+
Наш сайт выгодно отличается тем что при покупке, кроме PDF версии Вы в подарок получаете работу преобразованную в WORD - документ и это предоставляет качественно другие возможности при работе с документом
Страницы оглавления работы
Рекомендуемые диссертации данного раздела
| Название работы | Автор | Дата защиты |
|---|---|---|
| Спиновые и кинетические явления в наноструктурах и графене | Глазов, Михаил Михайлович | 2012 |
| Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя | Тимошнев, Сергей Николаевич | 2011 |
| Электродинамика слоистых полупроводниковых структур для квантовых каскадных лазеров | Богданов, Андрей Андреевич | 2012 |