Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники

• Автор: Егоров, Антон Юрьевич
• Шифр специальности: 01.04.10
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2011
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 335 с. : ил.

Оглавление
Введение
1. Молекулярно-пучковая эпитаксия нового класса полупроводниковых твердых растворов GaAsN и 1пСаА81Ч.

1.1. Метод молекулярно-пучковой эпитаксии.

1.2. Установка молекулярно-пучковой эпитаксии

1.3. Особенности выращивания азотсодержащих соединений с использованием газоразрядного источника атомарного азота.
1.4. Влияние основных параметров эпитаксиального процесса на свойства и элементный состав твердых растворов ОаАэК и {пСтаАьМ
1.5. Влияние высокотемпературного отжига на оптические и структурные свойства слоев и квантоворазмерных гетероструктур ТпОаАзЫ.
2. Фундаментальные физические свойства слоев и гетероструктур нового класса полупроводниковых твердых растворов СаАзГЧ, 1пСаА81Ч, СаР1Ч, СаАяР]».

2.1. Исследование свойств твердых растворов ОаАэМ.

2.2. Исследование свойств твердых растворов 1пОаАзЫ и их квантоворазмерных гетероструктур.
2.3. Азотосодержащие квантоворазмерные гетероструктуры излучающие в спектральном диапазоне 1300-1800 нм.
2.4. ' Исследование свойств твердых растворов ОаР15Г, ОаРАэМ.
3. Полосковые инжекционные лазеры с квантовыми ямами 1пОаАв]Ч.
3.1. Принцип действия инжекционного лазера.
3.2. Экспериментальное исследование лазеров с квантовыми ямами ХпСаЛэМ.
3.3. Исследование свойств активной области - лазеры с широким полоском (поперечно многомодовые).
3.4. Лазеры полосковой конструкции с квантовыми ямами ГпОаАэИ с узким полоском (поперечно одномодовые).
3.5. Лазеры с квантовыми ямами 1пОаАэК с узким полоском, изготовленные методом латерального окисления.
3.6. Температурная стабильность лазеров с квантовыми ямами ІпОаАьІЧ.
3.7. Надежность инжекционных лазеров с квантовыми ямами ІпСаАзІЧ.
3.8. Модуляционные характеристики лазеров с квантовыми ямами [пСаАБЫ.
4. Вертикально-излучающие лазеры с квантовыми ямами
ІпСаАзІХ.
4.1. Особенности конструкция вертикально-излучающих лазеров.
4.2. Анализ конструкции ВИЛ.
4.3. Синтез гетероструктур ВИЛ методом молекулярнопучковой эпитаксии и основные этапы изготовления ВИЛ.
4.4. Исследования приборных характеристик вертикально-излучающих лазеров с квантовыми ямами ІпОаАзІЧ.
Заключение
Список публикаций включенных в
диссертацию
Список цитируемой литературы

Рис.1.10. Внешний вид радиочастотного газоразрядного источника UNI-Bulb™ RF Plasma Source. Источник слева, согласующее устройство справа.