Энергетическая зонная структура и динамика решетки некоторых соединений Ап Ву2

• Автор: Тупицын, Виктор Евгеньевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1983
• Место защиты: Кемерово
• Количество страниц: 161 c. : ил

О Г Л А В Л Е Н И Е
ГЛАВА I. СВОЙСТВО СИММЕТРИИ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ И
ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО ЗОННОГО СПЕКТРА ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТИПА АП в|
§ I. Кристаллическая структура полупроводников
типа А^ В2
§ 2. Симметрия кристаллической решетки
§ 3. Топологическая структура энергетических зон
полупроводников типа А1 В^
§ 4. Законы дисперсии
§ 5. Правила отбора для дипольных переходов в кристаллах с пространственной группой 5)ц и С/к
Глава II. ТЕОРИЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ЗОННОЙ СТРУКТУРЫ ТЕТРАГОНАЛЬНЫХ И МОНОКЛИННЫХ КРИСТАЛЛОВ АП в|
§ I. Расчетные формулы метода псевдопотенциала
§ 2. Энергия пустой решетки и СКГіВ для кристаллов с
пространственной группой $
§ 3. Кристаллический псевдопотенциал соединений
АП В^
§ 4. Вычисление энергетической зонной структуры
тетрагонального
§ 5. Вычисление энергетической зонной структуры
тетрагонального СсіР^
§ 6. Зонная структура и оптические свойства
моноклинного 7пРг
Глава III. ЗОННАЯ СТРУКТУРА, ПЛОТНОСТЬ СОСТОЯНИЯ, РЕНТГЕНОВСКИЕ И ОПТИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ ТЕТРАГОНАЛЬНЫХ КРИСТАЛЛОВ АП В^

§ I. Структура энергетических зон тетрагональных
2пРг и Сс| Ра. вблизи края поглощения
§ 2. Оптические междузонные переходы в тетрагональных Z п Р г и [d в глубине собственного поглощения
§ 3. Вычисление плотности электронных состояний в
валентной зоне тетрагональных ZnP* и [с|Рг
§ 4. Строение валентной полосы тетрагональных Zinp2.
и Сd Р2. (рентгеноспектральные исследования и сопоставление с вычисленной электронной плотностью состояний)
Глава IV. РЕШЕТОЧНАЯ ДИНАМИКА СОЕДИНЕНИЙ А11 в|
§ I. Экспериментальные исследования решеточной
динамики кристаллов Во
§ 2. Симметрия решеточных колебаний кристаллов А%£
§ 3. Правила отбора для инфракрасного поглощения и
комбинационного рассеяния света на колебаниях решетки типа А^ Bg
§ 4. Рассеяния Мандельштама-Бриллгаэна в кристаллах
тетрагональной и моноклинной системы. Правила отбора для рассеяния МБР
§ 5. Вычисление энергии электростатического взаимодействия ионов в сложных кристаллических структурах
ВЫВОД)!
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЯ
ЛИТЕРАТУРА

Элементы П группы (цинк, кадмий) и У группы (фосфор,мышьяк, сурьма) таблицы Д.И.Менделеева образуют большую группу соединений (табл.1), состоящую из пяти классов.
; Таблица I,
Классы полупроводниковых соединений ВУ с кадмием и цинком [I].
Класс I Класс П Класс Ш Класс 1У Класс У
Z,,3P2 Z и3 fl S г ZnsSf2 Zn Рг Zn Яs2 Zn4s83 Zn sl
Cd3P* Cdj fls2 UjSßj ЫРг С cl Я S 2 Cd., Sli Cd Sl Cd Pl,
Cd3 Л/г
Полупроводниковые соединения АП ВУ получены и интенсивно изучаются сравнительно недавно, хотя первые исследования диаграмм состояния и свойств отдельных фаз в этих системах были проведены под руководством К.С.Курнакова в начале XX столетия. До 60-х годов нашего столетия в печати появлялись лишь эпизодические сведения об этих веществах за исключением, пожалуй, обстоятельной рентгеноструктурной работы М
Paulus > относящейся к 1935 году [2] . В 1960-1963 годах в

ределенные из тройных алмазоподобных соединений в [64, 65] и заданные таблично. На рис.6 изображены зависимости атомных псевдопотенциалов цинка (кривая I) и фосфора (кривые П, Ш, 1У) от квадрата волнового вектора. Используя формулы (П.36), (11.37),
(П.38) и данные приложения Ш, легко вычислить фурье-коэффициенты
.. лП
эффективных кристаллических потенциалов соединении а нестрого говоря ^'перенесение" псевдопотенциалов атомов из одного соединения в другое может быть оправдано, если переносятся не полные атомные псевдопотенциалы, а неэкранкрованные псевдопотенциалы ионных остовов. Фурье-коэффициенты полного псевдопотенциала тогда вычисляются по формуле ( С| - волновой вектор)
, ш.39) где 8 А) - фурье-коэффициенты диэлектрической функции, которые могут быть определены в некоторой модели. Изменение диэлектрической экранировки по формуле (П.39) учитывалось нами при конкретных расчетах атомных форм-факторов. Фурье-коэффициенты диэлектрической функции £(?) определялись в модели Пенна [66] и в модели, предложенной авторами работы [67) . Ка рис.7 в качестве примера, приведена диэлектрическая функция для тетрагонального 2л (сплошная кривая соответствует в модели Пенна, пунктирная - в модели [67] ).