Исследование электронной структуры поверхности соединений A 2 B 6 методами низкоэнергетической вторично-электронной спектроскопии

• Автор: Пигулевский, Александр Флавиевич
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Ленинград
• Количество страниц: 177 c. : ил

ГЛАВА I. ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ПОЛУПРОВОДНИКОВ ТИПА АгБ, И ЕЕ ЭКСПЕРИЖГАЛЬНОЕ ИССЛЕДОВАН!®
1.1. Характер электронной связи и кристаллическая структура соединений
1.2. Зонные структуры соединений а А
1.3. Особенности электронной структуры поверхности соединений АЛ
1.4. Экспериментальное исследование электронной энергетической структуры объема и поверхности
АгВе
1.4.1. Исследование соединений ДА оптическими методами
1.4.2. Фотоэлектронные исследования
1.4.3. Исследование соединений группы методами вторично-электронной спектроскопии
1.5. Выводы и постановка задачи
ГЛАВА 2. МЕТОДИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СПЕКТРОСКОПИИ ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ И УСЛОВИЯ ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Физические основы методов низкоэнергетической вторично-электронной спектроскопии
2.1.1. Проявление электронной структуры твердого тела в спектроскопии характеристических потерь энергии электронов
2.1.2. Особенности проявления энергетической структуры зон в спектрах полного :тока

2.1.3. Определение особенностей функций А/^ (В) и
А/С(Е) из совместного анализа данных ОПТ и
СХПЭ
2.1.4. Определение особенностей функции Л/С из
совместного анализа данных ОПТ и фотоэмиссионной спектроскопии
2.1.5. Особенности проявления в спектрах полного тока порогов возбуждения внутренних электронных уровней атомов
2.1.6. Определение методом СИТ изменений работы выхода
2.2. Экспериментальная установка
2.2.1. Вакуумная часть
2.2.2. Электрическая схема спектрометра полного тока
2.2.3. Спектрометр вторичных электронов
2.3. Выводы
ГЛАВА 3. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ СУЛЬФИДА
КАДМИЯ МЕТОДАМИ ВТОРИЧНО-ЭЛЕКТРОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ
3.1. Исследование особенностей энергетической структуры плотностей валентных и незаполненных состояний
3.1.1. Сравнительный анализ спектров различных поверхностей
3.1.2. Определение структуры плотностей состояний зоны проводимости С с! Б с использованием данных
ФЭС _91_
3.1.3. Определение структуры плотности состояний зоны проводимости £с/5 из совместного анализа
данных ОПТ и СХПЭ
3.2. Проявление с[- состояний кадмия в спектрах полного тока

3.3. Проблема регистрации сильносвязанных состояний атомов в методе ОПТ
3.4. Электронная структура поверхности со
сниженной работой выхода П2
3.5. Выводы
ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННОЙ СТРУКТУРЫ РЯДА СОЕДИНЕНИЙ
группы Й2В6: Сс^Бе, Сс(Те Дп8,
4.1. Исследование селенида и теллурида кадмия
4.2. Исследование халькогенидов цинка
4.3. Сводка результатов по исследованию распределения плотности состояний соединений
4.4. Выводы
ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ СТРУКТУРЫ ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ ПРИПОВЕРХНОСТНОЙ ОБЛАСТИ й2 Вб ,РАЗУП0РЯ-ДОЧЕННОЙ ПРИ ИОННОМ ВОЗДЕЙСТВИИ
5.1. Влияние разупорядоченности кристаллической структуры на распределение плотности электронных состояний
5.2. Исследование методом СПТ влияния ионной бомбардировки йг на структуру электронных состояний
5.2.1. Экспериментальные результаты
5.2.2. Обсуждение результатов
5.3. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
50.
ГЛАВА 2. МЕТ0ДЦЧЕС1Ж ОСОБЕННОСТИ СПЕКТРОСКОПИИ ВТОРИЧНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ И УСЛОВИЯ ЭКСПЕРИМЕНТА
2.1. Физические основы методов низкоэнергетической вторично-электронной спектроскопии
Вторично-электронная низкоэнергетическая спектроскопия является одним из экспериментальных методов исследования электронных свойств твердых тел. Общая схема эксперимента по ВЭС приведена на рис.2.1. Первичный пучок электронов (I) падает на поверхность твердого тела (2). Часть электронов, испытав один или несколько актов рассеяния, покидает твердое тело и может быть зарегистрирована анализатором (3). Измеряется, как правило, распределение эмиттированных электронов по энергии при фиксированном значении энергии электронов первичного пучка Ер В частности, в методе СХПЭ анализируются электроны, испытавшие характеристические потери энергии.
Альтернативным является подход, при котором измеряется полный ток эмиттированных электронов в зависимости от энергии падающих электронов Ер . В этом случае, регистрация процесса, ответственного за появление особенности в спектре характеристических потерь (межзонные переходы, электрон-плазмонное рассеяние) происходит на пороге его возбуждения, когда включение нового канала рассеяния приводит к перераспределению электронов отраженного и прошедшего потоков. Баланс токов
Уо - пр +■ Уотр
позволяет при поддержании постоянной плотности падающего электронного потока ( = const ) и при условии полного отбора
вторичных электронов проводить измерения не отраженного, а про-