Влияние дислокаций на электрические свойства монокристалов антимонида индия

• Автор: Краснов, Аркадий Петрович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1984
• Место защиты: Черноголовка
• Количество страниц: 151 c. : ил

Глава I. ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛАСТИЧЕСКИ ПРОДЕФОРМИРОВАИНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ За$&

§ I.I. Некоторые характеристики кристаллов

§ 1.2. Кристаллографическая ориентация образцов

§ 1.3. Краткий анализ результатов исследований влияния

дислокаций на электрические свойства кристаллов

Глава II. АППАРАТУРА И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТОВ

§ 2.1. Деформационная машина

§ 2.2. Методика пластического изгиба образцов

§ 2.3. Установка для гальваномагнитных измерений и методика измерений электрических характеристик образцов
Глава III. НЕКОТОРЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИСЛОКАЦИОННОЙ СТРУКТУРЫ В ПЛАСТИЧЕСКИ ИЗОГНУТЫХ МОНОКРИСТАЛЛАХ
§ 3.1. Введение дислокаций в кристаллы с избытком дислокаций одного знака
§ 3.2. Определение характеристик дислокационной структуры
Выводы
Глава IV. ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
МОНОКРИСТАЛЛОВ Cfn Sb
§ 4.1. Акцепторное действие пластического изгиба в монокристаллах P-типа,пластически продеформированных при малых скоростях деформации
§ 4.2. Акцепторное действие пластического изгиба в монокристаллах »г-типа,пластически продеформированных при малых скоростях деформации
§ 4.3. Влияние пластической деформации на электрические свойства монокристаллов 50 Р-типа при высоких скоростях деформации
Выводы
Глава V. ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ НА КОНЦЕНТРАЦИИ И ПОДВИЖНОСТИ ЛЕГКИХ И ТЯЖЕЛЫХ ДЫРОК В КРИСТАЛЛАХ % $& Р-ТИПА ПРИ 77,4К
§ 5.1. Основные соотношения
§ 5.2. Методика эксперимента
§ 5.3. Концентрации и подвижности дырок в исходном
материале
§ 5.4. Взаимодействие легких и тяжелых дырок о дислокациями
Выводы
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА
В настоящее время хорошо известно, что дислокации влияют на электронные свойства твердых тел. Во многих случаях это влияние проявляется в том, что с введением в кристалл дислокаций заметно изменяются его электрические, оптические, магнитные и другие свойства. Наиболее значительные эффекты такого рода наблюдаются в кристаллах полупроводников. Этот факт объясняется тем обстоятельством, что при введении в полупроводниковый кристалл дислокаций в нем образуются электрически активные центры, энергетические уровни которых лежат в запрещенной зоне кристалла. Поэтому, если концентрация этих центров сравнима или превосходит концентрацию примесных центров в кристалле, то в области примесной проводимости кристалла эти новые центры частично или полностью определяют электрические и другие свойства кристалла, зависящие от состояния его электронной подсистемы. При этом концентрации и подвижности носителей тока и другие электрические характеристики кристалла с дислокациями могут существенно отличаться от соответствующих данных у недеформирован-ного контрольного образца. Исследование этих изменений имеет большое значение как с теоретической точки зрения, так и с точки зрения различных приложений, в частности, в области разработки новых полупроводниковых приборов. Поэтому изучение влияния дислокаций на электрические свойства кристаллов представляет собой важный, самостоятельный раздел физики твердого тела.
В исследованиях последних лет по изучению влияния дислокаций на электронные свойства кристаллов элементарных полупроводников (?£, и $1 были получены количественные данные по влиянию дислокаций на различные экспериментально определяемые характеристики кристалРис.12. Кристаллографическая ориентация монокристалли-ческой пластины. Заштрихованная область показывает сечение, на котором проводился подсчет дислокационных ямок травления.