Накопление и преобразование ассоциаций галогена при облучении рентгеновскими лучами кристаллов KBr при 4,2-400К

• Автор: Акилбеков, Абдираш Тасанович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Тарту
• Количество страниц: 205 c. : ил

Лист сокращений и обозначений, употребляемых в диссертации

Глава I. НАКОПЛЕНИЕ УСТОЙЧИВЫХ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ЩГК КАК РЕЗУЛЬТАТ СУПЕРПОЗИЦИИ РАЗНОНАПРАВЛЕННЫХ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ (Обзор литературных данных)
1.1. Создание радиационных дефектов в ЩГК и зависимость этого процесса от температуры облучения ионизирующей радиацией

1.1.1. Создание дефектов при кратковременном облучении (имцульсное облучение)

1.1.2. Накопление дефектов при продолжительном облучении (непрерывное облучение)

1.2. Явления, приводящие к накоплению, разрушению и преобразованию дефектов во время продолжительного облучения ионизирующей радиацией

1.2.1. Механизм создания Г^Н -пар и разделение компонент

1.2.2. Стабилизация подвижных междоузельных дефектов

1.2.3. Радиационное разрушение и радиационное преобразование дефектов

Глава 2. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ

2,1» Основные методические приемы, использованные в работе
2.2. Объекты исследования и экспериментальная
установка
2.2.1. Объекты исследования
2.2.2, Экспериментальная установка
Глава 3. СОЗДАНИЕ И РАЗРУШЕНИЕ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ЩГК В ПРОЦЕССЕ ПРОДОЛЖИТЕЛЬНОГО ОБЛУЧЕНИЯ РЛ В ОБЛАСТИ ТЕМПЕРАТУР 4,2-400 К
3.1. Область температур 4,2-80 К
3.1.1. Зависимость эффективности накопления при 4,2 К радиационных дефектов в Кбг от наличия примесей и других несовершенств кристаллической структуры
3.1.2. Зависимость эффективности накопления различных радиационных дефектов от температуры (4,2-80 К) и от поглощенной дозы
3.2. Область температур 80-400 К
3.2.1. Зависимость эффективности создания
F Хд-центров и более крупных ас-социатов галогена от температуры облучения РЛ
3.2.2. Зависимость эффективности радиационного разрушения Хд-центров от температуры облучения РЛ (200-320 К)
3.3. Конкретный ход зависимости 1^р(т) в области температур 4,2-320 К как функция

поглощенной дозы
3.3.1. Спад ^ в области температур
10-30 К
3.3.2. Подъем ^ в области температур
80-160 К
3.3.3. Спад 'Ч в области температур
240-320 К
3.3.4. Обобщенная схема зависимости выживания радиационных дефектов в ££,у при продолжительном облучении РЛ при 4,2--400 К
Глава 4, ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И СТРУКТУРА ПАРНЫХ АССОЦИАЦИЙ МЕВДОУЗЕЛЬНОГО ГАЛОГЕНА - ДИ-Н-ЦЕНТ-РОВ
4.1, Ди-Н-центры в КБг , основной структурной единицей которых является Вг^-ИОН
4.1.1. Свойства Ъу^ -центров в КВг-и и
КВг - Бг
4.1.2. Свойства -центров в чистом
К&г
4.2, Другие варианты ди-Н-центров в КВг
4.3, Структура ди-Н-центров и начальные этапы агрегации междоузельного галогена в
К.Вг
4.3.1, -центры в КВг-Ц
4.3.2. Вг^ -центры в КВг- $г
4.3,3» Вк’з -центры в чистом КВг
4.3.4. Специфические особенности дефектообразования при облучении РЛ в разных

создание F*,ИГ,-троек дефектов £63,64,152,153] . Так, например, при захвате электрона междоузельным компонентом -пары возникает пара F - и 1-дефектов, а комплементарная захваченному электрону дырка локализуется в форме VK -центра. Аналогичная F.T.V* -тройка возникает и на базе с*,Х-
> i г создается
-пары: электрон захватывается анионной ваканеиейТ^ £ -пара, а дырка локализуется, как VK -центр. Отметим, что последний вариант создания -тройки не обязательно
предпочтителен, как это может показаться на первый взгляд, поскольку электрон захватывается заряженной вакансией, а не нейтральным Н-центром. Однако, уже давно показано £149,154 ] , что положительный заряд вакансии в ^, 1 -паре в значительной степени экранирован отрицательным зарядом 1-центра и потому сечение захвата электрона для ъС -центра может оказаться близким к таковому для Н-центра.
Создание FjXjV* -троек в результате радиационного разрушения первичных F, И - и ы,Г -пар может объяснить высокий уровень накопления VK -центров в ЩГК, облученных при гелиевых температурах £153,155] , и некоторые особенности отжига облученных кристаллов [ 63 ] . Действительно, оптические [£154] и поляризационные £155] измерения показали, что число VK -центров в Kbv , облученном рентгеновскими лучами и электронами, сравнимо с числом Н-центров, а прямые исследования методом ЭПР£153]для кристалла КС£ показали, что при поглощенной дозе 2 Мрад число V* -центров в 4 раза больше числа Н-центров. Выживание -центров при облучении при 4,2 К объяснялось еще захватом комплементарного электрона F -центром, т.е. созданием F1 -центров (см., например, £149] ). Однако, поскольку число Fr -центров всегда много меньше числа F -центров £55] , этот процесс не