Влияние механических напряжений на энергетические и кристаллографические характеристики собственных точечных дефектов в ОЦК металлических кристаллах Fe и V

• Автор: Сивак, Александр Борисович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2006
• Место защиты: Москва
• Количество страниц: 230 с. : ил.

ГЛАВА 1. ДИСЛОКАЦИИ И ТОЧЕЧНЫЕ ДЕФЕКТЫ В ТЕОРИИ УПРУГОСТИ
1.1.Введени е
1.2.Показатели упругой анизотропии
1.2.1. Изотропная среда
1.2.2. Кубические кристаллы
1.3 .Дислокации в упругой среде
1.3.1. Упругие поля прямолинейных дислокаций
1.3.2. Энергия дислокации
1.3.3. Устойчивость прямолинейной формы дислокации
1.3.4. Системы скольжения дислокаций
1.4.Точечные дефекты (упругие диполи) в упругой среде
1.5.Взаимодействие источников упругих напряжений
1.5.1. Упругое взаимодействие дислокаций с точечным дефектом (упругим диполем)
1.6.Вывод ы
ГЛАВА 2. МЕТОДЫ КОМПЬЮТЕРНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ
ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ, ДИСЛОКАЦИЙ И ВНЕШНЕГО НАГРУЖЕНИЯ
2.1.Модель и потенциалы межатомных взаимодействий в ОЦК кристаллах Ье и V
2.2.Основные соотношения для расчета характеристик дефектов в равновесном кристалле
2.3.Соотношения для расчета характеристик дефектов в нагруженном кристалле
2.4.Методика моделирования дислокаций в ОЦК кристаллах
2.5.Методика расчета взаимодействия дислокаций с точечными дефектами
2.6.Вывод ы
ГЛАВА 3. ХАРАКТЕРИСТИКИ СОБСТВЕННЫХ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ

В ОЦК КРИСТАЛЛАХ Бе И V
З Л. Энергетические и кристаллографические характеристики собственных точечных дефектов в кристаллах Бе и V
3.2.Диаупругая поляризуемость собственных точечных дефектов в кристалле Бе
3.3.Вывод ы
ГЛАВА 4. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ СОБСТВЕННЫХ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ
С ДИСЛОКАЦИЯМИ В ОЦК кристаллах Бе И V
4.1.Энергия и устойчивость прямолинейной формы дислокаций в системах скольжения <111>{110}, <111>{ 112}, <100>{100}, <100>{011} в
кристаллах Бе и V (анизотропная теория упругости)
4.2.Энергия дислокаций в системах скольжения <111>{ 110}, <111>{ 112}, <100>{ 100} в кристаллах Бе и V (компьютерное моделирование)
4.2.1. Дислокации в кристалле Бе
4.2.2. Дислокации в кристалле V
4.3.Поля напряжений краевых и винтовых дислокаций в системах скольжения <111>{ 110}, <111>{ 112}, <100>{ 100}, <100>{011} в
кристаллах Бе и V (анизотропная теория упругости)
4.4.Взаимодействие собственных точечных дефектов (упругих диполей) с упругими полями краевых и винтовых дислокаций в системах скольжения <111>{ 110}, <111>{ 112}, <100>{ 100} <111>{ 110},
<100>{011} в кристаллах Бе и V (гибридный метод)
4.4.1. Энергия взаимодействия дислокаций с собственными точечными дефектами
4.4.2. Критические плотности дислокаций
4.4.3. Стабилизация <111> гантели вблизи дислокаций
4.4.4. Миграция собственных точечных дефектов в окрестности дислокаций
4.5. Взаимодействие собственных точечных дефектов с краевыми дислокациями <111>{110}, <100>{100} вблизи и внутри
дислокационного ядра в кристалле Бе (компьютерное моделирование)

4.5.1. Краевая дислокация в системе скольжения <100>{ 100}
4.5.2. Краевая дислокация в системе скольжения <111>{ 110}
4.6.Выводы
ГЛАВА 5. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ СОБСТВЕННЫХ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ
С ОДНОРОДНЫМИ УПРУГИМИ ВНЕШНИМИ ПОЛЯМИ (ГИДРОСТАТИЧЕСКИМИ И ОДНООСНЫМИ) в оцк КРИСТАЛЛАХ Бе И V
5.1.Влияние внешних полей напряжений на энергии образования и миграции собственных точечных дефектов (гибридный метод)
5.2. Влияние внешних полей напряжений на энергию образования собственных точечных дефектов (компьютерное моделирование)
5.3.Вывод ы
ГЛАВА 6. ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ СОБСТВЕННЫХ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ
С МАЛОУГЛОВЫМИ МЕЖЗЕРЕННЫМИ ГРАНИЦАМИ НАКЛОНА В ОЦК КРИСТАЛЛАХ Ее И V
6.1.Упругие поля малоугловых границ, состоящих из краевых дислокаций в системах скольжения <111>{ 110} и <111>{ 112} (анизотропная теория упругости)
6.2.Взаимодействие собственных точечных дефектов с полями напряжений малоугловых границ наклона (гибридный метод)
6.3.Вывод ы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
БЛАГОДАРНОСТИ
СПИСОК РАБОТ АВТОРА ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИИ
ЛИТЕРАТУРА (ПО ГЛАВАМ)
ПРИЛОЖЕНИЕ А. ПОЛЯ НАПРЯЖЕНИЙ КРАЕВЫХ И ВИНТОВЫХ
ДИСЛОКАЦИЙ В СИСТЕМАХ СКОЛЬЖЕНИЯ <111>{110}, <111>{ 112}, <100>{ 100}, <100>{011} В ОЦК КРИСТАЛЛАХ Ре И V... 136 ПРИЛОЖЕБ1ИЕ Б. ОРИЕНТАЦИОННЫЕ ЗАВИСИМОСТИ Дф) ЭНЕРГИИ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ДИСЛОКАЦИЙ С СОБСТВЕННЫМИ ТОЧЕЧНЫМИ ДЕФЕКТАМИ В ОЦК КРИСТАЛЛАХ Ре И V

Энергия взаимодействия Ем краевой дислокации с точечным дефектом определялась следующим образом:
Еш'=ио&ро-ио-Ерт, (2.29)
где ио&ро ~ потенциальная энергия кристаллита содержащего дислокацию и точечный дефект,
С/о - потенциальная энергия кристаллита содержащего только дислокацию,
ЕрВ- энергия образования точечного дефекта в отсутствие дислокации.
В главе 4 приведены результаты расчетов величины энергии взаимодействия дислокаций с собственными точечными дефектами в кристалле Бе и проведено сравнение с аналогичными расчетами в рамках анизотропной теории упругости.
2.6. Выводы
1. Разработана компьютерная модель, позволяющая рассчитывать такие характеристики точечных дефектов и их кластеров как энергия образования, энергия миграции, дипольный тензор, релаксационный объем и тензор диаупругой поляризуемости в нагруженных и ненагруженных кристаллитах.
2. Разработана компьютерная модель для расчета энергетических характеристик дислокаций (энергофактор, энергия ядра, радиус ядра) и для расчета взаимодействия дислокаций с точечными дефектами в ОЦК кристаллах.