Влияние поляризации кристаллов на строение и туннельную рекомбинацию радиационных дефектов

• Автор: Канторович, Лев Нохимович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 1985
• Место защиты: Рига
• Количество страниц: 265 c. : ил

ОСНОВНЫЕ СОКРАЩЕНИЯ

ААП - метод атом-атомных потенциалов

АО - атомная орбиталь

Ш - безынерционная поляризация

ШГ - безынерционная функция Грина

ВМК - метод внедренного молекулярного кластера

ВФ - волновая функция

ГУ - граничные условия,налагаемые на гамильтониан кластера ДЭЯР - двойной электронно-ядерный резонанс ДФ - диэлектрическая функция ЗБ - зона Бриллюэна

ЗТД - заряженный относительно решетки точечный дефект

ИП - инерционная поляризация ЛКАО - линейная комбинация атомных орбиталей ЛЭГ - метод локализованных электронных групп МК - молекулярный кластер МО - молекулярная орбиталь МП - матрица плотности
НФО - неполный Фурье-образ (преобразование Фурье на области 2)
НХФ - неограниченный метод Хартри-фока
ОКБ - метод ограниченного конфигурационного взаимодействия
ОФП - обдЩенная функция-произведение
ОХФ - ограниченный метод Хартри
ПФГ - полная функция Грина колеблющегося кристалла в модели оболочек
РТП - радиационно-туннельный переход электрона РЭЯ - расширенная элементарная ячейка
СЭ - структурный элемент (локализованная электронная группа) ТД - точечный дефект
ТЛ - туннельная люминесценция ФГ - функция Грина
ФО - Фурье-образ (преобразование Фурье)
ЦА.0 - центрированная атомная орбиталь ЦМ - центральная молекула
ЧПДП - метод частичного пренебрежения дифференциальным перекрыванием ЩГК - щелочно-галоидный кристалл ЭП - модель электронного полярона Тойязавы ЭПР - электронный парамагнитный резонанс

1.УЧЕТ ЭФФЕКТОВ КОРРЕЛЯЦИИ И ПОЛЯРИЗАЦИИ В РАСЧЕТЕ ЭЛЕКТРОННОЙ И ПРОСТРАНСТВЕННОЙ СТРУКТУРЫ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КРИСТАЛЛАХ

1.1.Расчет поляризации кристалла дефектом с помощью методов классической электростатики
1.1 Л.Рассмотрение безынерционной поляризации кристалла в
теории Мотта и Литлтона
1.1.2.Вычисление инерционной поляризации кристалла полем дефекта в модели жестких ионов
1.1.3.Совместный учет инерционной и безынерционной поляризации
1.2.Электронная корреляция и поляризация
1.2.1.Учет корреляции в методах квантовой химии молекул и твердых тел
1.2.2.Метод разделения на локализованные электронные группы
1.3.Учет искажения электронной структуры дефектной области кристалла
1.3.1.Метод резольвентных функций Грина
1.3.2.Модель центральной молекулы
1.3.3.Молекулярные модели кристаллов с точечными дефектами
1.4.Выводы по главе
2.ТЕОРИЯ ВНЕДРЕНИЯ МОЛЕКУЛЯРНОГО КЛАСТЕРА В ПСЛЯРИЗУЩУЮСЯ РЕШЕТКУ
2.1.Помещение кластера в кристалл
2.1.1.Общие уравнения метода внедренного молекулярного кластера
49
'трудностям;,, учет же ДаЛЬНОЦЄЙСТВуЮЩКХ смешений" Г'ПО- В ИДИ МО Му , 4 - •.
в обычной формулировке метода - ІГ-- вооб ще не во зшжен; 5) '$ случае' открвтыХ~обрлочйк урашения"метода сильно усложняются—
-Однако, как уже было сказано; непреодолимой..трудностью метода Я1 является все же его неприменимость для ЗТД (возіуще -ние в этом случае бесконечномерно). Если бы удалось вычислить ЗГ совершенного кристалла во внешнем поле' .пробного точечного заряда в начале координат, т.е* в поле, яшяющемся асимптотикой любого реального поля, создаваемого на больших расстояниях ЗТД в кристалле , то остаток возношения дефекта был бы уже локали -зованным, и задача бы сводилась к обычной 'формулировке метода ЗГ, Однако ЗГ для чисто кулоновекого во зрения пока не получена. Более того, даже, если бы удалось это сделрь, этого было бы явно недостаточно , ибо' для ЗТД не об ходиш учесть БП кристалла,,которая существенным образом заложена §- корреляции', не учитываемой в одноэлектроннС!м приближении. ст| можно сделать, если ' ~ в '.уравнениях ~0ХФ ~заменить‘ об шнный^операто^-на" оператор 'соб ст вен-нойдэнерцйи.^Ж(в) . (§ 1>£*;Ф) , - которыйгодніко; точно неизвестен
’г—..
-Прирэтом-все-орновныеДфрщлы метода С практически будут иметь ...тот М~'вш^0ДЩШ'И вде трудности расчетной схемы~э станутся?■-включая,-конечно , и бесконечно мерность возмущении в случае ,ЗТД*
1.3.2. Мэдель центральной .молекулы-«/'

Вычислительные трудности, встречающиеся в методе Фг, и его неприменимость! к ЗТД способетвовали^созданию различных приближенных моделей и расчетных схем для/получения электронной структуры ТД в кристалле, в модеди центральной молекулы (ЦМ) в кристалле [5,6,9,10,19,83] область 1. включала в себя трлько непосредственно сам дефект. Шгассическим примером ТД, для которого-шдель ЦМ успешно применялась, является Г~ центр в