Динамика магнитного потока и фазовокогерентный транспорт в сверхпроводниках и сверхпроводящих структурах

• Автор: Ильичев, Евгений Вячеславович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Докторская
• Год защиты: 2001
• Место защиты: Черноголовка
• Количество страниц: 156 с. : ил

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
ГЛАВА 1. МИКРОВОЛНОВОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ И ДИНАМИКА МАГНИТНОГО ПОТОКА В СВЕРХПРОВОДНИКАХ 2 РОДА.
1.1. Введение
1.2. Техника измерения импеданса
1.3. Полевая зависимость поверхностного импеданса сверхпроводников
второго рода в смешанном состоянии
1.4. Частотная зависимость поверхностного импеданса сверхпроводников
второго рода в смешанном состоянии
1.5. Влияние свойств поверхности сверхпроводников второго рода
на частотную зависимость поверхностного импеданса в смешанном состоянии
1.6. Особенности импеданса сверхпроводников 2 рода в случае
поверхностной сверхпроводимости
1.7 Релаксация магнитного момента сверхпроводящего цилиндра
второго рода в случае Н С2<На <Н&
1.8. Выводы к главе
ГЛАВА 2. ДИНАМИКА МАГНИТНОГО ПОТОКА В НЕОДНОРОДНЫХ СВЕРХПРОВОДНИКАХ 2 РОДА.
2.1. Введение
2.2. Отклик сверхпроводящей керамики и силыюдефктной
сверхпроводящей пленки в слабых магнитных полях
2.3. Тонкопленочный цилиндр как сверхпроводящий квантовый магнетометр
2.4. Сквид без джозефсоновского контакта
2.5. Особенности микроволнового поглощения для
сверхпроводников 2 рода в неравновестном критическом состоянии
2.6. Движение потока на уровне одиночник вихрей. “Ви1к”-сквид эффект
2.7. Выводы к главе
ГЛАВА 3. ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ СКВИД.
3.1. Введение
3.2. Сверхпроводящий квантовый интерферометр. Высокочастотный сквид
3.3. Переход от. “Ьи1к”-сквида с концентратором тока к
обычному сквиду. Безгистерезисный режим работы сквида при Г=4,2К
3.4. Гистерезисный режим керамического ВЧ сквида в
условиях больших термодинамических флуктуаций Т= 77К
3.5 Безгистерезисный режим керамического ВЧ сквида при Т =77К
3.6. Шумовые характеристики керамического сквида
3.7. Особенности отклика пленочного сквида в конечных магнитных полях
3.8. Особенности отклика сквида с конечной амплитудой второй
гармоники в токо-фазовой зависимости
3.8. Выводы к главе
ГЛАВА 4. ТОКО-ФАЗОВАЯ ЗАВИСИМОСТЬ РАЗЛИЧНЫХ ДЖОЗЕФСОНОВСКИХ ПЕРЕХОДОВ.
4.1 Введение
4.2. Метод
4.3. Калибровочные измерения
4.4. Измерение малых критических токов
4.5. Симметрия параметра порядка для высокотемпературных
сверхпроводников
4.6. Токо-фазовая зависимость слабых связей и симметрия параметра порядка
4.7. Токо-фазовая зависимость в случае больших термодинамических флуктуаций
4.8. Примеры токо-фазовой зависимости для некоторых
конфигураций высокотемпературных слабых связей
4.9. Симметричный 45° контакт
4.10. Асимметричный 45° контакт
4.11. Выводы к главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА

RQZ, а.и.
_1___1 I I л I I I I I 1_
3999.6 4000.0 4000.4 Н, Ое
Рис. 1.9. Зависимость действительной части поверхностного импеданса от внешнего магнитного поля при различных амплитудах сканирования. Направление сканирования указано стрелками. Кривые смещены по вертикали для наглядности.