Центры люминесценции, образующиеся в структурах Si-SiO2 в результате ионной имплантации и последующего отжига

• Автор: Петров, Юрий Владимирович
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2008
• Место защиты: Санкт-Петербург
• Количество страниц: 165 с. : ил.

ОГЛАВЛЕНИЕ.
Введение
Глава 1. СПОСОБЫ МОДИФИКАЦИИ И СВОЙСТВА
МОДИФИЦИРОВАННЫХ СТРУКТУР й-йОг
1.1. Способы получения наноструктур
1.2. Моделирование роста кластеров в процессе отжига
1.3. Свойства модифицированных слоев 8Юг
1.3.1. Люминесцентные свойства
Структуры вГвЮг подвергнутые имплантации в!
Структуры ЗГБЮх
Структуры БЮг, подвергнутые имплантации Се, С
1.3.2. Структурные свойства
Структуры БьвЮг подвергнутые имплантации в!
Структуры ББвЮх
Структуры вГЗЮг, подвергнутые имплантации Се, С
1.4. Модели центров люминесценции в вЮг
1.5. Электронная структура кластеров
Выводы из главы
Глава 2. ИССЛЕДУЕМЫЕ СТРУКТУРЫ И МЕТОДЫ
ИССЛЕДОВАНИЯ
2.1. Исследуемые образцы
2.2. Метод электролюминесценции

2.2.1. Общая схема и принцип работы экспериментальной установки
2.2.2. Методика исследования электролюминесценции
в системе электролит-диэлектрик-полупроводник
2.3. Метод вольт-фарадных характеристик
2.4. Система электролит-диэлектрик-полупроводник
Глава 3. ЦЕНТРЫ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В СТРУКТУРАХ
ві-віОг, ПОДВЕРГНУТЫХ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
3.1. Люминесцентные свойства структур 8і-8і02, подвергнутых ионной имплантации
3.2. Зарядовые характеристики структур 8і-8Ю2, подвергнутых ионной имплантации
3.3. Дефектообразование в структурах 8і-8Ю2 в процессе
ионной имплантации
3.3.1. Особенности дефектообразования при ионной имплантации
3.3.2. Образование центров люминесценции в результате
ионной имплантации
3.3.3 Возбуждение электролюминесценции в структурах
8і-8Ю2, подвергнутых ионной имплантации
Выводы из главы
Глава 4. ЦЕНТРЫ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В СТРУКТУРАХ
8і-8Ю2, ПОДВЕРГНУТЫХ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ

И ПОСТИМПЛАНТАЦИОННОМУ ОТЖИГУ
4Л. Люминесцентные свойства структур Si-Si02, подвергнутых
ионной имплантации и отжигу
4.2. Зарядовые характеристики структур Si-Si02, подвергнутых ионной имплантации и отжигу
4.3. Влияние отжига на люминесцентные свойства модифицированных слоев Si02
4.3.1. Поведение центров люминесценции образованных
ионной имплантацией при отжиге
4.3.2. Формирование центров люминесценции в результате
отжига
4.3.3. Возбуждение электролюминесценции в структурах, подвергнутых постимплантационному отжигу
Выводы из главы
Глава 5. КИНЕТИКА ЗАТУХАНИЯ ЭЛЕКТРОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В СТРУКТУРАХ Si-Si02, ПОДВЕРГНУТЫХ
ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
5.1. Модели основных механизмов возбуждения ЭЛ
5.2. Кинетика затухания полосы 2,7 эВ
Выводы из главы
Заключение
Список литературы

возбуждение немостикового кислорода происходит с энергией 2,0 эВ. Максимум возбуждения с энергией 4,8 эВ, связан с другим дефектом, который после возбуждения превращается в немостиковый кислород.
В настоящий момент существуют различные точки зрения на природу центров люминесценции ответственных за полосы 2,7 эВ и 4,4 эВ. В качестве таких центров предполагается несрелаксировавшая вакансия кислорода (рис. 1.1а) [76], двухкоординированный по кислороду кремний (рис. 1.16) [76,79] и кремний-кремниевая связь (рис.І.Ів) [56,81,82].
Рис. 1.1. Дефекты 8Юг: а) несрелаксировавшая вакансия кислорода, б) двухкоординированный по кислороду кремний, в) кремний-кремниевая связь, г) Н(1)-центр.