Структурные особенности и ионный перенос в твердых растворах CuCr1-xV x Se2 и CuCr1-x Ti x Se2

• Автор: Кутушева, Раиса Муллагалиевна
• Шифр специальности: 01.04.07
• Научная степень: Кандидатская
• Год защиты: 2003
• Место защиты: Уфа
• Количество страниц: 134 с. : ил.

^ Содержание

Введение
I. Обзор литературных данных по структуре и физико-химическим свойствам соединений МСгХ2 (М-Си, Ag; Х-8, Бе, Те)

® 1.1. Структура слоистых дихалькогенидов переходных металлов

1.2. Кристаллическая структура соединений МСгХ

1.3. Теоретические модели описания ионного переноса в суперионных проводниках

1.4. Ионный и электронный перенос в соединениях МСгХ

^ И. Методика экспериментальных исследований

2.1. Методика рентгеноструктурных исследований

2.1.1. Методика расчета относительных интегральных интенсивностей

2.2. Методика исследования парамагнитной восприимчивости слабомагнитных веществ
2.3. Методика измерений ионной и электронной проводимостей и коэффициента сопряженной химической диффузии
^ 2.3.1. Экспериментальная установка для исследований ионного переноса
2.4. Электрохимический метод исследования термодинамических процессов в твердых электролитах
III. Исследование системы СиБе-( 1-х)СгБе-хУБе
3.1. Синтез образцов системы Си5е-(1 -х)Сг5е-хУ8е
3.2. Исследование фазовых соотношений в системе СиЗе-(1-х)СгБе-хУ8е...А
3.3. Исследование кристаллической структуры твердых растворов
* СнСг;..гК^е,
3.4. Изучение распределения катионов меди по кристаллографическим позициям

3.5. Исследование парамагнитной восприимчивости образцов системы СиБе-(1-х)СгЗе-хУЗе
3.6. Исследование ионной проводимости образцов системы
СиЗе-(1 -х) СгБе-х УЗе
3.7. Исследование диффузионных явлений в образцах системы
СиЗе- (1 -х) СгЗе-х УБе
3.8. Исследование э.д.с. электрохимической ячейки ССиСиВгСиСг,.хУ^е2С
3.9. Исследование электронной проводимости образцов системы СиЗе-(1-х) СгЗе-х УЗе
IV. Исследование системы СиЗе-(1-х)СгЗе-хЛЗе
4.1. Синтез образцов системы СиЗе-(1-х)СгЗе-хПЗе
4.2. Исследование фазовых соотношений в системе СиЗе-(1-х)СгЗе-хТ13е
4.3. Исследование кристаллической структуры твердых растворов СиСгихП£е
4.4. Исследование парамагнитной восприимчивости образцов системы СиЗе-(1-х)СгЗе-хЛЗе
4.5. Исследование ионной проводимости образцов системы
Ш СиЗе-(1-х)СгЗе-хШе
4.6. Исследование диффузионных явлений в образцах системы СиЗе-(1-х)СгЗе-хШе
4.7. Исследование э.д.с. электрохимической ячейки
ССиСиВгСиСг
Заключение
Литература
Введение
Актуальность проблемы. Явление быстрого ионного переноса в твердых телах представляет фундаментальный интерес. Исследование механизмов данного явления в реальных твердых телах осложняется одновременным влиянием многих факторов. Установлено, что параметры ионного переноса определяются размером и зарядом подвижного иона [1-5], концентрацией точечных дефектов [6-9], величиной свободного объема элементарной ячейки [10-12], свойствами зернограничных областей [13-15] и присутствием посторонних фаз. Большинство исследований проведено на соединениях с проводимостью по ионам кислорода и щелочных металлов. Исследования проводимости по ионам меди и серебра, по двух- и трехвалептным ионам проведены недостаточно. Кроме этого, ввиду сложности изучаемого явления с целью сравнения результатов расчетов с экспериментальными данными необходимо проведение исследований на соединениях с относительно простой кристаллической структурой. В данной работе в качестве объектов исследований выбраны квазидвумерные твердые растворы СиСг/.уУ^е? и СиСг/.х77л5 Замещая Сг титаном и ванадием в тройных слоях СгБе2, можно менять характер связи атомов переходного металла с атомами селена и размеры Ван-

Экспериментальное определение величины И— сопряжено с большими

трудностями, поэтому метод Фарадея в основном используют для относительных измерений. Для этого определяют еще и силу (/^0 , действующую на эталонное тело с массой т„ с известной магнитной восприимчивостью Хо > имеющее объем и форму, идентичные объему и форме исследуемого образца. Для эталонного образца можно записать:
(Л)о = ■ (2.17)
Восприимчивость исследуемого образца рассчитывается по формуле:
т0 /г
Х=—Х()

(2.18)
При проведении относительных измерений исследуемое вещество и эталонный образец должны всегда помещаться в одну и ту же область ноля с
заданным значением нЩ-. Практически удовлетворить этому условию

ис,Н *
можно, если Н —— будет иметь максимальное значение в некотором

„ _ Т. с1Н т
интервале 2. В данной работе величина Н —— в объеме 1 см менялась не

более чем на 5%.
2.3. Методика измерений ионной и электронной проводимостей и коэффициента сопряженной химической
диффузии